Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

On angle resolved RF magnetron sputtering of Ge-Sb-Te material doped by Si or Se.
Authors: Wágner Tomáš | Gutwirth | Bezdička | Bartoš | Kotulanová | Vlček Milan | Orava | Frumar Miloslav
Year: 2008
Type of publication: článek ve sborníku
Name of source: Program and Exhibit Guide: MRS Spring meeting 2008
Publisher name: MRS (Materials Research Society)
Place: San Francisco
Page from-to: 114
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Úhlově rozlišené RF magnetronové naprašování materiálů Ge-Sb-Te dotovaných Si nebo Se. Byla provedena charakterizace úhlově rozlišeného RF magnetronového naprašování tenkých vrstev Ge-Sb-Te dotovaných Si nebo Se. amorfní chalkogenidy, tenké vrstvy, naprašování
eng On angle resolved RF magnetron sputtering of Ge-Sb-Te material doped by Si or Se. Characterization of angle resolved RF magnetron sputtered Ge-Sb-Te thin films doped by Si or Se was performed. amorphous chalcogenides, thin films, sputtering