Publication detail

Medium-term thermal stability of amorphous Ge2Sb2Te5 flash-evaporated thin films with regards to change in structure and optical properties

Year: 2009

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Thin Solid Films

Publisher name: Elsevier Science BV

Place: Amsterdam

Page from-to: 4694-4697

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Střednědobá teplotní stabilita amorfních mžikově deponovaných vrstev Ge2Sb2Te5 s ohledem na změny struktury and optických vlastností	Střednědobá teplotní stabilita amorfních mžikově deponovaných (FE) vrstev Ge2Sb2Te5 byla studována v rozsahu teplot 30-80 °C při současné cyklování, tj. chlazení/temperace. Byly zaznamenány zásadní změny struktury a optických vlastností vrstev. Teplotní cyklování vrstev vedlo ke vzniku izolovaných nano-domén (5-7 nm) krystalické fáze v amorfních vrstvách. Vznik nano-krystalů vedl k poklesu indexu lomu a změnám hodnot Eg a Rs studovaných vrstev. Lze jím také částečně usuzovat na drift Rs u "amorfních" GST vrstev. Optické a elktrické vlastnosti FE vrstev GTS jsou velmi podobné vlastnostem těchto vrstev deponovaných magnetronovým napařováním.	Chalkogenidy;Ellipsometrie;Crystallizace;Nanostrustruktury;RTG difrakce;Odpařování;Transmisní elektronová mikroskopie
eng	Medium-term thermal stability of amorphous Ge2Sb2Te5 flash-evaporated thin films with regards to change in structure and optical properties	The stability of flash-evaporated amorphous Ge2Sb2Te5 thin films has been studied under medium-term temperature treatment (30 - 80 °C, with a step of 10 °C) in ten subsequent heating and cooling cycles. The significant changes in structure and optical properties are reported. The temperature cycling of the films resulted in formation of an isolated 5 - 7 nm nano-crystalline phase in the amorphous phase. The corresponding increase in refractive index and change in optical bandgap energy and sheet resistance are also presented. The formation of Ge2Sb2Te5 nano-crystals (~5 - 7 nm) even under temperature below 80 °C could contribute to the explanation of mechanism of resistivity fluctuation (drift) of the ?amorphous phase? films. We also show that the optical and electrical properties of flash evaporated Ge2Sb2Te5 thin films are very similar to those reported for sputtered films.	Chalcogenides;Ellipsometry;Crystallization;Nanostructures;X-ray diffraction;Evaporation;Transmission electron microscopy

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links