Login for students

Login for employees

Publication detail

Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films
Authors: Franta D. | Nečas D. | Ohlídal I. | Hrdlička Martin | Pavlišta Martin | Frumar Miloslav | Ohlídal M.
Year: 2009
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
Publisher name: National Institute of Optoelectronics
Place: Bukurešť
Page from-to: 1891-1898
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Kombinovaná metoda spektroskopické elipsometrie a fotometrie jako efektivní nástroj k optické charakterizaci chalkogenidových tenkých vrstev Optická charakterizace chalkogenidových tenkých vrstev As33Se67 a Ge2Sb2Te5 byla provedena kombinovanou metodou VASE a SR. Tato metoda dovoluje určit jak strukturní, tak disperzní parametry, které popisují tenké vrstvy vykazující různé defekty. Strukturní model zahrnuje hrubost a nerovnoměrnost tloušťky. Disperzní modely jsou založeny na parametrizaci sdružené hustoty elektronových stavů. Tato metoda umožňuje kvantitativně zkoumat změny v elektronické struktuře materiálů, které jsou způsobeny fázovými přechody, což je ukázáno na materiálu Ge2Sb2Te5. Kombinovaná metoda, která zahrnuje strukturní a disperzní modely je efektní nástroj pro optickou charakterizaci tenkých vrstev s nepravidelnou strukturou. elipsometrie;fotometrie;chalkogenidy;tenké vrstvy
eng Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films The optical characterisation of the As33Se67 and Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films is carried out using the combined method of VASE and SR. This method permits to determine both structural and dispersion parameters describing the thin films exhibiting various defects. The structural model is based on including roughness, overlayers and thickness non-uniformity. The dispersion models are based on parametrisation of the joint density of states. These models, unlike the classical models derived from the Lorentz oscillator model, can describe finite bands which allows to introduce a parameter proportional to the density of electrons. It is shown that this method enables to investigate quantitatively changes in the electronic structure of the materials caused by phase transitions which is demonstrated on the Ge2Sb2Te5. It is shown that the combined method with including true structural and dispersion models is a powerful tool for the optical characterisation of thin films exhibiting disordered structure. Ellipsometry;Photometry;Chalcogenige;Thin film

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives