Publication detail

Photo-Induced Changes of the Short Wawelength Absorption Edge in Some Ge-As-S Amorphous Thin Films.

Authors: Štábl Marek | Tichý Ladislav

Year: 2004

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Optical Materials

Publisher name: Elsevier Science BV

Place: Amsterdam

Page from-to: 549-557

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Fotoindukované změny krátkovlnné absorbční hrany v některých Ge-As-S amorfních tenkých filmech.	Reversibilní a ireversibilní fotoindukované změny byly studovány v amorfních filmech Ge27As10S60 a Ge14As27S59. Čtyřhladinový dvou údolňový model byl navrhnut k výkladu pozorovaných fotoindukovaných změn optické šířky zakázaného pásu.	Ge-As-S
eng	Photo-Induced Changes of the Short Wawelength Absorption Edge in Some Ge-As-S Amorphous Thin Films.	In amorphous thin films Ge27As10S60 and Ge14As27S59 both the ireversible and reversible photo-induced changes of optical properties were studied. The four level - double - well model was suggested for observed photoinduced changes of the optical gap.	Ge-As-S

Search