Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of light and temperature.
Authors: Němec Petr | Jedelský Jaroslav | Frumar Miloslav | Černošek Zdeněk | Vlček Milan
Year: 2005
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Journal of Non-Crystalline Solids
Publisher name: Elsevier Science BV
Place: Amsterdam
Page from-to: 3497-3502
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Struktura tenkých amorfních vrstev As50S50 deponovaných pulsním laserem, vliv expozice a temperace. Byla studována struktura tenkých amorfních vrstev As50S50 deponovaných pulsním laserem, vliv expozice a temperace. amorfní chalkogenidy, Ramanův rozptyl, pulsní laserová depozice
eng Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of light and temperature. Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of light and temperature were studied. Amorphous chalcogenides;Raman scattering;pulsed laser deposition