Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of irradiation and annealing.
Authors: Němec Petr | Jedelský Jaroslav | Frumar Miloslav | Černošek Zdeněk | Vlček Milan
Year: 2005
Type of publication: článek ve sborníku
Name of source: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
Publisher name: Universidade Nova de Lisboa
Place: Lisbon, Portugal
Page from-to: 244
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Struktura arsenem bohatých amorfních tenkých vrstev As-S připravených pulsní laserovou depozicí, vliv expozice a temperace. Byla studována struktura arsenem bohatých amorfních tenkých vrstev As-S připravených pulsní laserovou depozicí, pozornost byla věnována rovněž vlivu expozice a temperace. amorfní chalkogenidy, pulsní laserová depozice, Ramanův rozptyl
eng Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, and effect of irradiation and annealing. Structure of pulsed-laser deposited arsenic-rich As-S amorphous thin films, effect of irradiation and annealing were studied. amorphous chalcogenides, pulsed laser deposition, Raman scattering