Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

The development of an arsenic sulfide glass based photoresist
Authors: Himanshu J. | Dubey M. | Russo L. | Vlcek M.
Year: 2004
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Ceramic Transactions
Publisher name: American Ceramic Society
Place: USA
Page from-to: 107-114
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Vývoj fotoresistu na bázi As-S skla Photoindukované změny struktury chalkogenidových vrstev jsou příčinou pozorovaného jevu selektivního leptání, který byl využit pro vývoj fotorezistu. Selektivita leptání byla výrazně zvýšena využitím jevu fotoindukované difuze stříbra. Byly studovány parametry binárního a stříbrem dotovaného fotoresistu, byla měřena in-situ kinetika jejich rozpouštění a stanovena rozlišovací schopnost.
eng The development of an arsenic sulfide glass based photoresist The photoinduced changes in the structure of chalcogenide glasses produce a selective etching effect, which has been investigated for the development of a photoresist. the phenomenon of photoinduced silver diiffusion into chalcogenide film was also used to make photoresist more resistant to a chemical etchant so that selectivity was greatly enhanced. The performance of binary and silver doped chalcogenide photoresists was evaluated and compared by examining their in-situ etching kinetics and resolution capability. photoresist, chalcogenide film