Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Kinetika krystalizace v amorfních materiálech sledovaná pomocí DSC.
Authors: Shánělová Jana | Švadlák Daniel | Němec
Year: 2005
Type of publication: ostatní - přednáška nebo poster
Name of source:
Publisher name:
Place:
Page from-to:
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Kinetika krystalizace v amorfních materiálech sledovaná pomocí DSC. Na příkladu krystalizace v amorfním (Ge30Ga5Se65)99.5(Pr2Se3)0.5 je ukázán vliv nejrůznějších parametru na průběh krystalizace a na získané DSC/DTA křivky. Podrobnou analýzou procesu měřeného pomocí DSC bylo zjištěno, že krystalizační entalpie je -58.1 J/g, aktivační energie je 219 kJ/mol, předexponenciální faktor A je 1.175.1015 s-1 a rychlost krystalizace při 500°C je 1.878 s-1. Proces krystalizace lze popsat empirickým modelem SB s parametry M = 0.67, N = 1.28. Na krystalizaci má významný vliv přítomnost Pr3+ iontů, které jsou krystalizačními centry, a velikost mezifázového rozhraní zejména matrice-vzduch. Krystalizace je také do značné míry ovlivněna difúzí k mezifázovému rozhraní krystal-matrice. Nukleačně růstový model JMA v tomto případě selhává. DSC, krystalizace, chalkogenidová skla, Ge-Ga-Se
eng Crystallization kinetics in amorphous materials measured by DSC. The crystallization in (Ge30Ga5Se65)99.5(Pr2Se3)0.5 were studied by DSC. It was found that crystallization is very quick and DTA method is not applicable to follow this process. From DSC data the crystallization enthalpy -58.1 J/g, activation energy 219 kJ/mol, pre-exponencial factor A = 1.175.1015 s-1 and rate constant at 500°C 1.878 s-1 were determined. The empirical model SB (0.67, 1.28) was found to describe this process, which is effected by surfare crystallization, nucleation on doped Pr3+ ionts and diffusion process on the interface crystal-glass. The nucleation growth model JMA is not acceptable in this case. DSC, crystallization, chalcogenide glasses, Ge-Ga-Se