Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Development of Hard Photoresist Masks with Dry Reactive Ion Etching Photolithography
Authors: Jain H. | Vlček Miroslav | Kovalskiy A. | Lorinczi A. | Simmens A. | Dubey M.
Year: 2005
Type of publication: ostatní - přednáška nebo poster
Name of source:
Publisher name:
Place:
Page from-to:
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Vývoj vysoce odolných fotorezistových masek pomocí suché reaktivní fotolitografie Byla studována možnost využití suchého leptání pro tvorbu mikrostruktur v anorganickém fotorezistu na bázi As. Selektivity lepání bylo dosaženo využitím jevu fotoindukované difuze v systému Ag - As2S3.
eng Development of Hard Photoresist Masks with Dry Reactive Ion Etching Photolithography Dry negative etching for the fabrication of microstructures in As based inorganic photoresists was evaluated. The selectivity of etching was successfully realized by using photodiffusion in Ag - As2S3 bilayer structure. dry etching, inorganic photoresist, photodiffusion