Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Annealing-induced structural changes in As-rich pulsed laser deposited AsxSe100-x films studied by photoemission.
Authors: Siokou A. | Kalyva K. | Yannopoulos S. | Němec Petr | Frumar Miloslav
Year: 2006
Type of publication: článek ve sborníku
Name of source: Sborník příspěvků Solid State Chemistry 2006
Publisher name: Univerzita Pardubice
Place: Pardubice
Page from-to: 92
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Temperací indukované strukturní změny v arsenem bohatých vrstvách AsxSe100-x deponovaných pulzním laserem studované fotoemisí. Fotoemisními experimenty byly studovány temperací indukované strukturní změny v arsenem bohatých vrstvách AsxSe100-x deponovaných pulzním laserem. amorfní chalkogenidy, tenké vrstvy, fotoemise
eng Annealing-induced structural changes in As-rich pulsed laser deposited AsxSe100-x films studied by photoemission. Annealing-induced structural changes in As-rich pulsed laser deposited AsxSe100-x films were studied by photoemission. amorphous chalcogenides, thin films, photoemission