Login for students

Login for employees

Publication detail

Tuning the free electron concentration in Sr-doped Bi2Se3
Authors: Ruleová Pavlína | Drašar Čestmír | Krejčová Anna | Beneš Ludvík | Horák J | Lošťák Petr
Year: 2013
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Journal of Physics and Chemistry of Solids
Publisher name: Pergamon-Elsevier Science Ltd.
Place: Oxford
Page from-to: 746-750
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Ladění koncentrace volných elektronů v monokrystalech Bi2Se3 dopovaných stronciem Monokrystaly Bi2Se3 dopované stronciem byly vypěstovány z vysoce čistých prvků. Připravené monokrystaly byly charakterizovány pomocí rentgenové difrakce. Atomová emisní spektrometrie s indukčně vázaným plazmatem (ICP-AES), byla použita pro určení skutečné koncentrace stroncia ve studovaných vzorcích. Transportní vlastnosti byly měřeny u všech vzorků. Seebeckův koeficient, S, Hallův koeficient RH, a elektrická vodivost sigma, byly měřeny v rozsahu teplot od 80 K do 470 K. Tyto údaje naznačují akceptorové chování stroncia v Bi2Se3. Byla provedena podrobná studie o účinnosti dopování stronciem. Zajímavé je, že Hallova mobilita volných nosičů se zvyšuje výrazně při dopování Stronciem. Tento účinek byl kvalitativně vysvětlen modelem bodových defektů v krystalové mřížce BI2-xSrxSe3, a to pomocí poklesu koncentrace rozptylových center. chalkogenidy; krystalový růst; transportní vlastnosti
eng Tuning the free electron concentration in Sr-doped Bi2Se3 Single crystals of Bi2Se3 doped with strontium were grown from high purity elements. The prepared single crystals were characterized using x-ray diffraction. Inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP-AES) was used to determine the actual concentrations of strontium in the studied samples. The transport properties were measured for all of the samples. The Seebeck coefficient, S, the Hall coefficient RH, and the electrical conductivity sigma, were measured in the temperature range from 80 K to 470 K. These data indicated acceptor-like behavior of strontium in Bi2Se3. A detailed study of the doping efficiency of strontium was performed. Interestingly, the Hall mobility of the free carriers increases markedly upon doping with Sr. This effect was qualitatively explained within a model of point defects in the crystal lattice of Bi2-xSrxSe3, which implied a decrease in the concentration of scattering centers. chalcogenides; crystal growth; transport properties

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives