Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Pulsed laser deposition of rare-earth-doped gallium lanthanum sulphide chalcogenide glass thin films
Authors: Pompilian O. G. | Dascalu G. | Mihaila I. | Gurlui S. | Olivier Mélinda | Němec Petr | Nazabal Virginie | Cimpoesu N. | Focsa C.
Year: 2014
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Applied Physics A-Materials Science & Procesing
Publisher name: Springer
Page from-to: 197-205
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Pulzní laserová depozice gallium lanthan sulfidových chalkogenidových skelných tenkých vrstev dotovaných vzácnými zeminami Er a Pr dotované Ga-La-S tenké vrstvy byly deponovány ns PLD a jejich strukturní, chemické a optické vlastnosti byly analyzovány optickou a elektronovou mikroskopií, profilometrií, rentgenovou difrakcí, Ramanovou spektroskopií, time-of-flight hmotnostní spektrometrií sekundárních iontů (TOF-SIMS), energiově-disperzní rentgenovou spektroskopií, spektrální elipsometrií s proměnným úhlem a optickou propustností. Vrstvy deponované při střední hustotě energie (4 J/cm2) v UV (266 nm) měli dobrou kvalitu povrchu, akceptovatelnou uniformitu složení a odchylky od stechiometrie v souhlasu s literaturou. pulzní laserová depozice; amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; Ga-La-S; vzácné zeminy
eng Pulsed laser deposition of rare-earth-doped gallium lanthanum sulphide chalcogenide glass thin films Er- and Pr-doped Ga-La-S thin films were deposited by ns PLD and their structural, chemical and optical properties were analyzed by optical and electron microscopy, profilometry, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), energy-dispersive X-ray spectroscopy, variable-angle spectroscopic ellipsometry and optical transmission. Films deposited at moderate fluence (4 J/cm2) in UV (266 nm) presented a good surface quality, while exhibiting acceptable composition uniformity and deviations from stoichiometry in line with the literature. pulsed laser deposition; amorphous chalcogenides; thin films; Ga-La-S; rare earths