Publication detail

Crystal growth kinetics in GeS2 amorphous thin films

Authors: Podzemná Veronika | Barták Jaroslav | Málek Jiří

Year: 2014

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Thermal Analysis and Calorimetry

Publisher name: Springer

Page from-to: 775-781

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Kinetika růstu krystalů v GeS2 amorfních tenkých vrstvách	Kinetika růstu krystalů GeS2 v podchlazené tavenině byla studována optickou mikroskopií. lineární růst krystalů byl sledován v teplotním rozsahu 672-711 K v tenkých vrstvách. Aktivační energie růstu byla stanovena. Závislost rychlosti růstu krystalů na teplotě byla fitována 2D povrchově nukleačním růstovým modelem.	růst krystalů; chalkogenidy; GeS2; optická mikroskopie
eng	Crystal growth kinetics in GeS2 amorphous thin films	The crystal growth kinetics of germanium disulfide in undercooled melts has been studied by optical microscopy under isothermal conditions. The linear growth kinetics of GeS2 has been observed in the temperature range 672 - 711 K in thin film samples. The activation energy of crystal growth assuming Arrhenius behavior has been determined as E (G) = 166 +/- A 8 kJ mol(-1) for thin film samples. From the dependence of reduced growth rate on undercooling, the interface driven 2-D surface nucleated model was estimated.	Crystal growth; Chalcogenides; Germanium disulfide; Optical microscopy

Search