Login for students

Login for employees

Publication detail

Tenké filmy chalkogenidových skel systému ge-se-te pro optický záznam informací
Authors: Hejdová Martina | Černošková Eva | Todorov Rosen | Černošek Zdeněk | Holubová Jana
Year: 2014
Type of publication: článek ve sborníku
Name of source: Sborník příspěvků Mezinárodní Masarykovy konference pro doktorandy a mladé vědecké pracovníky 2014
Publisher name: MAGNANIMITAS
Place: Hradec Králové
Page from-to: 3493-3499
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Tenké filmy chalkogenidových skel systému ge-se-te pro optický záznam informací Tenké filmy chalkogenidových skel mohou hrát důležitou roli v informačních technologiích, kdy se jeví slibně jako použití pro počítačové aplikace, a např. pro optický záznam informací. Ten je založen na phase change efektu - přeměna sklovité a krystalické fáze. Byl vybrán jeden z potenciálně použitelných sklovitých systémů Ge30Se70-xTex kde x = 0, 10, 20 a byly studovány jeho vlastnosti. Z připravených bulků, byly vakuovým napařením připraveny tenké filmy (d ∼ 1 μm). Bylo zjištěno, že připravené filmy byly amorfní a homogenní. S rostoucím obsahem Te klesá optická šířka zakázaného pásu a teplota skelné transformace i teplota krystalizace. Struktura byla studována pomocí Ramanovy spektroskopie. Byly pozorovány rohem spojené tetreadry GeSe4/2, směsné tetraedry GeSe(4-x/2)Tex/2 a tetraedry GeTe4/2. tenké filmy; phase change efekt; Ramanova spektra; tepelná stabilita; optické vlastnosti.
eng Thin chalcogenide ge-se-te films for optical storage Thin films of chalcogenide glasses can play an important role in information technology, which looks promising as the use of computer applications, and eg. for optical storage. This is ased on phase change effect - the conversion of glassy and crytalline phases. One of the potentially useful systems Ge30Se70-xTex, where x = 0, 10, 20 was chosen and its properties were studied. From prepared bulk were sputtered by vacuum evaporation thin films (d ∼ 1 μm). It was found that the prepared films were amorphous and homogeneous. With increasingTe content decrease the optical band gap, the glass transition temperature and crystallization temperature. The structure was studied by Raman spectroscopy. Corner sharing tetrahedra GeSe4/2, mixed tetrahedra GeSe (4-x/2) Tex/2 and tetrahedra GeTe4/2 were observed. thin films; phase change effect; Raman spektra; thermal stability; optical properties

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives