University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

Dopování Ag do tenkých vrstev Ge28-xGaxS72

Authors: Valkova Silviya | Wágner Tomáš | Pavlišta Martin | Vlček Milan | Frumarová Božena | Beneš Ludvík

Year: 2014

Type of publication: ostatní - přednáška nebo poster

Page from-to: nestránkováno

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Dopování Ag do tenkých vrstev Ge28-xGaxS72	Vzhledem k současným trendům ve vývoji informačních technologií, je nezbytné zahrnout do daného odvětví také výzkum nových paměťových systémů. CBRAM (Conductive bridging random access memory) jsou paměťi se spínáním přes vodivé můstky, které používají vysokou iontovou vodivost některých materiálů (Ag, Cu), vysoce rozpustných v pevných elektrolytech. Jedním z důležitých faktorů, které určují kvalitu paměti, je zde výběr vhodného elektrolytu. V této práci byly jako potenciální elektrolyt zkoumány tenké vrstvy skelného systému Ag/Ge-Ga-S. Objemové vzorky o složení Ge28-xGaxS72 byly připraveny přímou syntézou z velmi čistých prvků. Z daných skel byly pulzní laserovou depozicí připraveny 4 řady tenkých vrstev o tloušťkách 500-700nm. Připravené vrstvy byly charakterizovány několika technikami a následně podrobeny opticky indukované difúzi Ag. Studie změn ve struktuře a optických vlastnostech dopovaných Ag-Ge28-xGaxS72 tenkých vrstev ukazují maximální množství rozpuštěného Ag, gradaci indexu lomu a posun v transmitanci.	amorfní chalkogenidy; Ge-Ga-S; difúze stříbra; tenké vrstvy