Login for students

Login for employees

Publication detail

Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge-Sb-Se thin films
Authors: Olivier Mélinda | Němec Petr | Boudebs G. | Boidin Rémi | Focsa C. | Nazabal Virginie
Year: 2015
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Optical Materials Express
Publisher name: Optical Society of America
Place: Washington, DC
Page from-to: 781-793
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Fotocitlivost tenkých vrstev Ge-Sb-Se deponovaných pulzním laserem Pulzní laserová depozice byla použita pro přípravu tenkých amorfních vrstev ze systému (GeSe2)(100-x) (Sb2Se3)(x), kde se x mění od 0 do 60. Pro studii jejich fotocitlivosti vůči záření s energií blízkou šířce zakázaného pásu bylo provedeno porovnání jejich optických vlastností (index lomu a šířka zakázaného pásu energií) před a po expozici jak v panenském stavu, tak ve stavu relaxovaném temperací. Temperované vrstvy jsou fotostabilní v lineárním režimu pro x >= 30. V nelineárním režimu byly nalezeny nejvyšší hodnoty intenzit prahu fotoindukovaných změn pro vrstvy s x = 10, 16.7 a x = 30, 40. Nejvyšší fotostabilita v obou režimech byla tedy pozorována pro vrstvy s x = 30 a 40. Na základě výsledků Ramanovy spektroskopie je diskutována struktura vrstev. amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; pulzní laserová depozice; fotocitlivost
eng Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge-Sb-Se thin films Pulsed laser deposition was used to prepare amorphous thin films from (GeSe2)(100-x) (Sb2Se3)(x) system, where x is varying from 0 to 60. To study their photosensitivity under irradiation with energy close to band gap, a comparison of their optical properties (refractive index and band gap energy) before and after irradiation is performed in both, as-deposited and annealed states. In linear regime, annealed films seem to be photostable when x >= 30. In nonlinear regime, highest photoinduced threshold intensity values were found for films with x = 10, 16.7 and x = 30, 40. Thus, the highest photostability in both, linear and nonlinear regimes of irradiation, was observed for layers with x = 30 and 40. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy results. amorphous chalcogenides; thin films; pulsed laser deposition; photosensitivity

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives