Login for students

Login for employees

Publication detail

Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system
Authors: Hawlová Petra | Verger Frederic | Nazabal Virginie | Boidin Rémi | Němec Petr
Year: 2015
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Scientific Reports
Publisher name: Nature Publishing Group
Place: London
Page from-to: "9310-1"-"9310-7"
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Fotostabilita amorfních tenkých vrstev ze systému Ge-As-Te deponovaných pulzním laserem Amorfní tenké vrstvy ze systému Ge-As-Te byly připraveny pulzní laserovou depozicí za účelem studia jejich intrinsické fotostability, morfologie, chemického složení, struktury a optických vlastností. Fotostabilita připravených vrstev byla studována spektroskopickou elipsometrií jak u panenských tak i relaxovaných (temperovaných) vrstev. Pro expozice byly použity laserové zdroje pracující při třech vlnových délkách v oblasti energií blízkých šířce zakázaného pásu energií studovaných materiálů. Výsledky ukazují, že nejnižší hodnoty fotoindukovaných změn indexu lomu doprovázené nejnižšími změnami šířky zakázaného pásu energií byly zjištěny u tenkých vrstev Ge20As20Te60, které jsou proto vyhodnoceny jako vrstvy s nejvyšší fotostabilitou v relaxovaném stavu. Struktura vrstev je diskutována na základě výsledků spektroskopie Ramanova rozptylu. tenké vrstvy; amorfní chalkogenidy; fotostabilita
eng Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system Amorphous thin films from Ge-As-Te system were prepared by pulsed laser deposition to study their intrinsic photostability, morphology, chemical composition, structure and optical properties. Photostability of fabricated layers was studied by spectroscopic ellipsometry within as-deposited as well as relaxed (annealed) layers. For irradiation, laser sources operating at three wavelengths in band gap region of the studied materials were employed. The results show that lowest values of photorefraction accompanied with lowest changes of band gap values were exhibited by Ge20As20Te60 thin films, which are therefore considered as the layers with highest photostability in relaxed state. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy data. thin films; amorphous chalcogenides; photostability

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives