University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

High-temperature thermoelectric properties of Hg-doped CuInTe2

Authors: Kucek Vladimír | Drašar Čestmír | Kašparová Jana | Plecháček Tomáš | Navrátil Jiří | Vlček Milan | Beneš Ludvík

Year: 2015

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Applied Physics

Page from-to: "125105-1"-"125105-7"

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Vysokoteplotní vlastnosti CuInTe2 dotovaného rtutí	Z prvků polovodičové čistoty byly reakcí v tuhé fázi připraveny polykrystalické vzorky řady CuIn1-xHgxTe2 (x = 0 – 0.21). Fázová čistota připravených vzorků byla ověřena pomocí práškové rentgenové difrakční analýzy. Vzorky pro měření transportních vlastností byly připraveny metodou lisování za tepla. Připravené vzorky byly dále charakterizovány měřením měrné elektrické vodivosti, Hallova koeficientu, Seebeckova koeficientu a tepelné vodivosti v teplotním intervalu 300 až 675 K. Všehny charakterizované vzorky vykazovaly elektrickou vodivost typu P. V publikaci je diskutován vliv rtuti na koncentraci volných nositelů proudu potažmo na termoelektrické vlastnosti. Vyšetření termoelektrických vlastností ukázalo 40% nárůst parametru ZT v intervalu teplot od 300 do 600K.	polovodiče; transportní vlastnosti; termoelektrické vlastnosti
eng	High-temperature thermoelectric properties of Hg-doped CuInTe2	Polycrystalline samples of composition CuIn1-xHgxTe2 (x = 0 – 0.21) were synthesized from elements of 5N purity using a solid state reaction. The phase purity of the products was verified by X-ray diffraction. Samples for transport property measurements were prepared using hot-pressing. The samples were characterized by measurement of the electrical conductivity, Hall coefficient, Seebeck coefficient and thermal conductivity over a temperature range of 300 – 675 K. All samples show p-type conductivity. We discuss the influence of Hg substitution on the free carrier concentration and thermoelectric performance. The investigation of the thermoelectric properties shows up to a 40% improvement of ZT in the temperature range of 300 – 600 K.	semiconductors; transport properties; thermoelctric properties