Publication detail

Stokes 1.5 μm anti-Stokes 0.99 μm emissions in Ga-Ge-Sb-S: Er3+ amorphous chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition

Year: 2015

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Scientific Papers of the University of Pardubice, Series A, Faculty of Chemical Technology

Page from-to: 57-66

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Stokesova 1.5 μm anti-Stokesova 0.99 μm emise v Ga-Ge-Sb-S: Er3+ amorfních chalkogenidových vrstvách připravených pulsní laserovou depozicí	V současné době hrají materiály dopované vzácnými zeminami důležitou roli. Důvod lze vidět v potřebách současného světa pro účinný přenos dat, medicinální aplikace, konstrukci moderních zařízení a ve vědeckém progresu. Reportujeme kompoziční závislost Ga-Ge-Sb-S: Er3+ chalkogenidových tenkých vrstev připravených pulsní laserovou depozicí (PLD), které umožňují účinnou Er3+: 4I13/2 → 4I15/2 (λ ≈ 1.5 μm) Stokesovu a Er3+: 4I11/2 → 4I15/2 (λ ≈ 0.99 μm) anti-Stokesovu emissi při excitaci vlnovými délkami 980 a 1550 nm. Bylo zjištěno, že nižší obsah antimonu a vyšší obsah síry v Ga-Ge-Sb-S vrstvách dopovaných 0,5 at.% je výhodné pro obě zmíněné emise. Fotonová up-konverzní emise byla s jistotou pozorována v případě PLD vrstev s nejvyšším obsahem síry, tj. (Ge17.8Ga3.6Sb3.6S75)99.5Er0.5. Tvar emisního pásu je srovnatelný s fotonovou up-konverzní emisí pozorovanou v objemovém vzorku skla. Vyšetřovali jsme také závislost složení materiálu terčíku na depoziční rychlost PLD. Substituce atomů antimonu atomy gallia vede k nižší depoziční rychlosti.	fotonová up-konverze; fotoluminiscence; chalkogenidová skla; polovodiče
eng	Stokes 1.5 μm anti-Stokes 0.99 μm emissions in Ga-Ge-Sb-S: Er3+ amorphous chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition	Nowadays, rare-earth-doped materials play an important role in photonics. The reason can be seen in needs of present world for efficient data transfer, medical use, construction of modern devices and in research progress. We report the compositional dependence of Ga-Ge-Sb-S: Er3+ pulsed laser deposited (PLD) chalcogenide films allowing the efficient Er3+: 4I13/2 → 4I15/2 (λ ≈ 1.5 μm) Stokes and Er3+: 4I11/2 → 4I15/2 (λ ≈ 0.99 μm) anti-Stokes emissions at pumping wavelength of 980 and 1550 nm, respectively. It was found that the lowers antimony and the highest sulphur contents in Ga-Ge-Sb-S films doped with 0.5 at.% Er3+ are beneficial for both mentioned emissions. The photon up-conversion emission was confidently observed in the case of PLD film with the highest content of sulphur, i.e., (Ge17.8Ga3.6Sb3.6S75)99.5Er0.5. The shape of this emission band is comparable with the photon up-convesion emission observed in the bulk sample. We have also inspected the dependence of target material composition on deposition rate of the PLD. The substitution of the antimony atoms with the gallium atoms leads to lower deposition rate.	photon up-conversion; photoluminescence; chalcogenide glasses; semiconductors

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links