Publication detail

Structural, vibrational, and electrical study of compressed BiTeBr

Year: 2016

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Physical Review B

Publisher name: American Physical Society

Place: College Park

Page from-to: "024110-1"-"024110-11"

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	imitace dynamiky molekul	BiTeBr za vysokých tlaků byl studován jak z hlediska experimentálního, tak teoretického. Experimentální výsledky rentgenové difrakce, Ramanova rozptylu a transportních vlastností při pokojové teplotě byly interpretovány v rámci ab-inicio výpočtů. Reversibilní přechod prvního řádu byl pozorován při 6-7 GPa, ale změny strukturních vibračních a elektrických vlastností byly pozorovány už při 2 GPa. Strukturní a vibrační změny jsou pravděpodobně spíš způsobeny zpevňováním vazby mezi vrstvami, než isostrukturním fázovým přechodem 2. řádu. Změny elektrických vlastností je možné vysvětlit především změnou elektronové mobility. Diskutujeme rovněž možnosti tlakem vyvolaného elektronového topologického přechodu a kvantového topologického přechodu v BiTeBr a dalších tellurohalidech bismutu.	initio molekulové dynamiky; Celkové energetické výpočty; Metoda rozšířené vlna; Základem-set; tlak; přechod; letadlo; fáze; polovodiče; vznik
eng	Structural, vibrational, and electrical study of compressed BiTeBr	Compresed BiTeBr has been studied from a joint experimental and theoretical perspective. Room-temperature x-ray diffraction, Raman scattering, and transport measurements at high pressures have been performed in this layered semiconductor and interpreted with the help of ab initio calculations. A reversible first-order phase transition has been observed above 6-7 GPa, but changes in structural, vibrational, and electrical properties have also been noted near 2 GPa. Structural and vibrational changes are likely due to the hardening of interlayer forces rather than to a second-order isostructural phase transition while electrical changes are mainly attributed to changes in the electron mobility. The possibility of a pressure-induced electronic topological transition and of a pressure-induced quantum topological phase transition in BiTeBr and other bismuth tellurohalides, like BiTeI, is also discussed.	initio molecular-dynamics; total-energy calculations; augmented-wave method; basis-set; pressure; transition; plane; phase; semiconductors; emergence

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links