University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

Light and electron beam induced surface patterning in Ge-Se system

Authors: Csarnovics I. | Cserhati C. | Kökényesi S. | Latif M.R. | Mitkova M. | Němec Petr | Hawlová Petra | Nichol T. | Veres M.

Year: 2016

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

Page from-to: 793-797

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Světlem a elektronovým svazkem indukované vzorování povrchu v systému Ge-Se	Homogenní tenké vrstvy Gex-Se1-x byly připraveny termickým napařováním a pulzní laserovou depozicí. Elektronovým svazkem a světlem byly na povrchu chalkogenidových vzorků vytvořeny geometrické struktury. Morfologie vytvořených reliéfů byla zkoumána mikroskopií atomárních sil. Byly studovány různé aspekty mechanismu záznamu povrchových reliéfů, spolu s se závislostí výšky profilu reliéfu na koncentraci chalkogenu. Bylo určeno složení a parametry záznamu poskytující nejlepší výsledky.	tenké vrstvy; amorfní chalkogenidy; termické napařování; pulzní laserová depozice
eng	Light and electron beam induced surface patterning in Ge-Se system	Homogeneous Gex-Se1-x thin layers have been prepared by thermal evaporation and pulsed laser deposition technique. Geometrical structures were formed on the surface of the chalcogenide samples by electron beam and photon irradiation methods. The morphology of the created reliefs was investigated by atomic force microscopy. The different aspects of the mechanism of surface relief recording were studied, together with the dependence of the surface relief profile heights on the chalcogen concentration. In addition, the compositions and recording parameters giving the best results were determined.	thin films; amorphous chalcogenides; thermal evaporation; pulsed laser deposition