University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

Fotoluminiscence a fotonová up-konverze v amorfních chalkogenidech Ga-Ge-As(Sb, Bi)-S: Er3+

Authors: Prokop Vít | Wágner Tomáš | Střižík Lukáš | Beneš Ludvík | Oswald Jiří | Frumarová Božena | Vlček Milan | Svoboda Roman

Year: 2016

Type of publication: ostatní - přednáška nebo poster

Page from-to: nestránkováno

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Fotoluminiscence a fotonová up-konverze v amorfních chalkogenidech Ga-Ge-As(Sb, Bi)-S: Er3+	Chalkogenidová skla (Ge25Ga8As2S65)1–xErx , kde x = 0.01–1 at.%, a (Ge25Ga8M2S65)0.999Er0.001, kde M = As, Sb nebo Bi, byla syntetizována a studována za účelem dosažení intenzívní fotonové up-konverzní (UCPL) emise od viditelné do střední infračervené spektrální oblasti a pro optické zesilovače. S rostoucí koncentrací Er3+ v termicky stabilních sklech (Ge25Ga8As2S65)1–xErx dochází nejen ke zvýšení celkové up-konverzní emisní intenzity, ale také ke zvyšování poměru červené ku zelené UCPL intenzity. Na druhé straně, amorfní Ge25Ga8Bi2S65: Er3+ chalkogenidy mají slibnou hodnotu koeficientu optického zesílení při ≈1,5 μm při relativně nízkých excitačních výkonech, což je dělá slibnými kandidáty pro optické zesilovače. Intenzity 4f-4f elektronových přechodů daných lokálním obklopením iontů Er3+ hostitelskou matricí byly zkoumány na základě Juddovy-Offeltovy teorie. Struktura skel byla vyšetřována pomocí Ramanova rozptylu. Výsledky práce demonstrují, že se zmiňované materiály jeví slibnými pro aplikace ve fotonice a optoelektronice.	Fotoluminiscence; fotonová; up-konverze; amorfní chalkogenidy; Er3+