Publication detail

Dopovací studie SnSe

Authors: Šraitrová Kateřina | Plecháček Tomáš | Drašar Čestmír | Kucek Vladimír | Ruleová Pavlína

Year: 2016

Type of publication: článek ve sborníku

Name of source: Studentská vědecká odborná činnost 2015/2016 : sborník příspěvků

Publisher name: Univerzita Pardubice

Place: Pardubice

Page from-to: 173-178

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Dopovací studie SnSe	Primárním cílem této práce bylo vyšetřit chování arsenu a yttria jako dopantů v SnSe, a dále se pokusit zvýšit hodnotu jeho parametru ZT. Arsen byl do matrice zabudován na místo po selenu, yttrium na místo po cínu. U obou ternárních sloučenin pozorujeme pokles elektrické vodivosti oproti nedopovanému materiálu. Díky nárůstu elektrické vodivosti (450-550 K) a poklesu tepelné vodivosti u vzorků dopovaných arsenem došlo k nárůstu ZT parametru těchto vzorků v oboru teplot 450-550 K. U vzorků dopovaných yttriem sice došlo k poklesu tepelné vodivosti, ale ZT parametr nevzrostl. Naopak došlo k jeho poklesu.
eng	Doping study of SnSe	The primary objective of this study was to investigate the behavior of arsenic and yttrium as dopants in SnSe, and try to increase the value of the parameter ZT. Arsenic has been incorporated into the matrix in place after selenium, yttrium in place after the tin. Both ternary compounds observed decrease in electrical conductivity compared to undoped material. With the increase of electrical conductivity (450 to 550 K) and a decrease in thermal conductivity for samples doped with arsenic increased ZT parameter of samples in the temperature range from 450 to 550 K. Although the samples doped with yttrium decreased thermal conductivity,they did not increase ZT parameter. On the contrary, it dropped.	thermoelectric properties; SnSe; electrical properties; doping study

Search