Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

DOPOVACÍ STUDIE VLIVU THALLIA NA VLASTNOSTI SnSe
Authors: Šmatelka Filip | Kucek Vladimír | Drašar Čestmír
Year: 2016
Type of publication: článek ve sborníku
Name of source: Studentská vědecká odborná činnost 2015/2016 : sborník příspěvků
Publisher name: Univerzita Pardubice
Place: Pardubice
Page from-to: 161-166
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze DOPOVACÍ STUDIE VLIVU THALLIA NA VLASTNOSTI SnSe V této práci bylo připraveno a charakterizováno sedm polykrystalických vzorků o rozdílné koncentraci Tl v řadě Sn1-xTlxSe, kde x = 0 ÷ 0,005. Cílem bylo zvýšit koncentraci volných nositelů proudu - děr, a vyšetřit efektivitu dopování a vliv dopování na TE vlastnosti. Námi naměřené teplotní závislosti termoelektrických vlastností materiálu poukazují na to, že thallium skutečně výrazně zlepší termoelektrické vlastnosti čistého materiálu, obzvláště pak při vyšších teplotách. Efektivita dopování prudce klesá s koncentrací Tl z » 0,76 pro x = 0,0001 až k » 0,11 pro x = 0,02. SnSe; termoelektrické vlastnosti
eng Thallium doping study of influence on properties SnSe In this work we were prepared and characterized by seven polycrystalline samples by Tl varying concentrations in a number SN1-xTlxSe, where x = 0 to 0.005. The aim was to increase the concentration of free current carriers - holes, and to investigate the effectiveness of doping and the effect of doping on TE properties. We measured the temperature dependence of thermoelectric material properties indicate that thallium actually significantly improve the thermoelectric properties of the pure material, especially at elevated temperatures. Doping efficiency rapidly decreases with concentration of Tl »0.76 x = 0.0001 and k» 0.11 to x = 0.02. SnSe; thermoelectric properties