Publication detail

Surface patterning in Ge-Se amorphous layers

Year: 2017

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Non-Crystalline Solids

Publisher name: Elsevier Science BV

Place: Amsterdam

Page from-to: 51-56

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Vzorování povrchu v amorfních vrstvách Ge-Se	Byly studovány kompoziční závislosti a závislost na metodě přípravy tvorby laserem indukovaných geometrických povrchových reliéfů v amorfních vrstvách Ge-Se s cílem určit možnou roli výchozích podmínek v mechanismu a účinnosti optického záznamu. Výsledky ukazují, že pulzní laserová depozice má některé výhody jako zachování složení a tvorbu povrchových reliéfů (ve srovnání s termálním napařováním) pro přípravu vrstev s vysokou citlivostí a účinností tvorby povrchových reliéfů (mřížek), zvláště ve vrstvách se složením Ge24Se76. Bylo ukázáno, že modulační hloubka vytvořených povrchových struktur v amorfních chalkogenidových vrstvách Ge-Se roste s rostoucím obsahem Se. Temperace má zásadní vliv na parametry záznamu, což umožňuje další náhled na možné mechanismy světlem indukovaného vzorování povrchu v tomto typu na světlo citlivých amorfních chalkogenidů. Ramanova spektroskopie byla použita pro identifikaci lokální struktury připravených vzorů povrchu.	amorfní chalkogenidy; Ge-Se systém; tenké vrstvy; světlem indukované vzorování povrchu; Ramanova spektroskopie
eng	Surface patterning in Ge-Se amorphous layers	Compositional and fabrication method dependences of laser-induced geometrical surface relief formation in Ge-Se amorphous layers were investigated with the aim to determine the possible role of initial conditions in the mechanism and efficiency of optical recording. The results show that pulsed laser deposition has some advantages in composition preservation and surface relief formation in comparison with thermal evaporation for producing layers with high sensitivity and efficiency of surface relief grating formation, especially in layers with Ge24Se76 composition. It was shown that modulation depth of the created surface structures increases with increasing Se content in Ge-Se amorphous chalcogenide layers. Thermal annealing has essential influence on the recording parameters, enabling additional insight into the possible mechanisms of light induced surface patterning in this type of light-sensitive amorphous chalcogenides. Raman spectroscopy was used to identify local structure of produced surface patterns.	Amorphous chalcogenides; Ge-Se system; Thin films; Light induced surface patterning; Raman spectroscopy

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links