Publication detail

Photostability of pulsed-laser-deposited AsxTe100-x (x=40, 50, 60) amorphous thin films

Year: 2017

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Optics Letters

Publisher name: Optical Society of America

Place: Washington, DC

Page from-to: 1660-1663

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Fotostabilita amorfních tenkých vrstev AsxTe100-x (x=40, 50, 60) deponovaných pulzním laserem	Amorfní tenké vrstvy AsxTe100-x byly připraveny technikou pulzní laserové depozice s cílem nalezení fotostabilních vrstev v panenském a preferenčně relaxovaném (temperovaném) stavu. Fotostabilita byla studována ve smyslu stability indexu lomu a šířky zakázaného pásu energií vůči expozici světlem s energií blízkou zakázanému pásu energií vrstev. Vrstvy As40Te60 a As50Te50 byly fotostabilní jak v panenském stavu, tak i ve stavu relaxovaném. Dále, vrstvy As50Te50 prokazují nejnižší povrchovou hrubost. Tyto charakteristiky tenkých vrstev As50Te50 deponovaných pulzním laserem jsou slibné pro aplikace v nelineární optice.	amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; fotostabilita; pulzní laserová depozice
eng	Photostability of pulsed-laser-deposited AsxTe100-x (x=40, 50, 60) amorphous thin films	AsxTe100-x amorphous thin films were fabricated by a pulsed laser deposition technique with the aim of finding photostable layers in as-deposited but preferably in relaxed (annealed) state. Photostability was studied in terms of the films' stability of refractive index and bandgap under near-bandgap light irradiation. As40Te60 and As50Te50 layers were found to be photostable in both as-deposited as well as relaxed states. Moreover, As50Te50 layers present the lowest surface roughness. These characteristics make pulsed-laser-deposited As50Te50 thin films promising for applications in nonlinear optics.	amorphous chalcogenides; thin films; photostability; pulsed laser deposition

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links