Login for students

Login for employees

Publication detail

Structural origin of surface transformations in arsenic sulfide thin films upon UV-irradiation
Authors: Kovalskiy Andriy | Vlček Miroslav | Pálka Karel | Bůžek Jan | York-Winegar James | Oelgoetz Justin | Golovchak Roman | Shpotyuk Oleh | Jain Himanshu
Year: 2017
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Applied Surface Science
Publisher name: Elsevier Science BV
Place: Amsterdam
Page from-to: 604-612
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Strukturní původ povrchových transformací v tenkých vrstvách sulfidu arsenitého vyvolaných UV expozicí Fotostrukturální tranformace ve vrstvách AsxS100-x (x = 30, 33, 35, 40) vyvolané vlivem expozice LED zářením různých vlnových délek jak na vzduchu, tak i v argonu byla studována metodou XPS, Ramanovou spektroskopií a metodou LEIS. Tyto komplementární výsledky ukazují, že světlo o energii blízké optické šířce zakázaného pásu nemění chemické složení povrchu, ale indukuje jednoduché fotopolymerizační reakce. UV záření však výrazně zvyšuje poměr As/S na povrchu materiálu díky formaci na síru bohaté vrstvy v obou použitých prostředích. Za účelem vysvětlení pozorovaných změn byl navržen mechanismus fotoindukovaného odparu jak oxidových, tak i neoxidových molekul (ve tvaru klece). iontový rozptyl; chalkogenidová skla; photostruturní změny; amorfní As2S3; spektroskopie; závislost; vlnová délka; systém; model; atomy
eng Structural origin of surface transformations in arsenic sulfide thin films upon UV-irradiation Photostructural transformations within AsxS100-x (x = 30, 33, 35, 40) thin films upon exposure to LED light of different wavelengths, in both air and argon environments have been studied by high resolution XPS, Raman spectroscopy and LEIS methods. These complementary results show that light of energies close to the band gap does not modify chemical composition of the surface, but induces simple photopolymerization reactions. Superbandgap UV light, however, significantly increases S/As ratio on the surface due to formation of S-rich layer under both environmental conditions. It is proposed that photovaporization of both oxide and non-oxide cage-like molecules is responsible for the observed effect. energy ion-scattering; chalcogenide glasses; photostructural changes; amorphous As2S3; spectroscopy; dependence; wavelength; system; model; atoms

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives