Publication detail

Solution-processed Er3+-doped As3S7 chalcogenide films: optical properties and 1.5 μm photoluminescence activated by thermal treatment

Year: 2017

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Materials Chemistry C

Publisher name: Royal Society of Chemistry

Place: Cambridge

Page from-to: 8489-8497

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Chalkogenidové vrstvy As3S7:Er3+ připravené z roztoku: optické vlastnosti a 1.5 μm fotoluminiscence aktivovaná temeperováním	Prezentujeme o optických vlastnostech Er dopovaných As3S7 chalkogenidových vrstvách připravených dvou krokovým rozpouštěcím procesem za použití As3S7 skla rozpuštěného v propylaminu a následným přídavkem chinolinátového komplexu Er (ErQ) vystupující jako prekurzor Er3+. Tenké vrstvy byly deponovány rotačním nanášením, teplotně stabilizovány jejich temperací při 125 °C a následnou temperací při 200 nebo 300 °C. Temperace při 200 °C a 300 °C zhutňuje vrstvy, zlepšuje jejich optickou homogenitu a navíc aktivuje Er3+: 4I13/2 → 4I15/2 (λ ≈ 1.5 μm) fotoluminiscenční (FL) emisi při excitačních vlnových délkách 808 a 980 nm. Nejvyšší FL emise bylo dosaženo u vrstev As3S7 temperovaných při 300 °C a dopovaných ≈1 at.% Er, což je za hranicí limitu rozpustnosti As-S skel připravených ochlazovaním taveniny. Depozice tenkých vrstev chalkogenidů dopovaných ionty vzácných zemin z jejich roztoků s využitím organokovových prekurzorů má velký aplikační potenciál pro tištěnou flexibilní optoelektroniku a fotoniku.	Chalkogenidové vrstvy; Organolanthanoidy; Z roztoku připravované; Flexibilní optoelektronika; Erbium
eng	Solution-processed Er3+-doped As3S7 chalcogenide films: optical properties and 1.5 μm photoluminescence activated by thermal treatment	We report on the optical properties of Er-doped As3S7 chalcogenide films prepared using the two step dissolution process utilizing the As3S7 glass dissolved with propylamine and by further addition of the tris(8-hydroxyquinolinato)erbium(III) (ErQ) complex acting as an Er3+ precursor. Thin films were deposited by spin-coating, thermally stabilized by annealing at 125 °C and further post-annealed at 200 or 300 °C. The post-annealing of films at 200 °C and 300 °C densifies the films, improves their optical homogeneity, and moreover activates the Er3+: 4I13/2 → 4I15/2 (λ ≈ 1.5 μm) PL emission at pumping wavelengths of 808 and 980 nm. The highest PL emission intensity was achieved for As3S7 films post-annealed at 300 °C and doped with ≈1 at% of Er which is beyond the normal Er3+ solubility limit of As-S meltquenched glasses. The solution-processed deposition of the rare-earth-doped chalcogenide films utilizing the organolanthanide precursors has much potential for application in printed flexible optoelectronics and photonics.	Chalcogenide films; Organolanthanide; Solution-processed; Flexible optoelectronics; Erbium

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links