Publication detail

The function of buffer layer in resistive switching device

Year: 2017

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Chalcogenide Letters

Publisher name: National Institute for R&D in Material Physics

Place: Bucharest

Page from-to: 291-295

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Funkce vymezující vrstvy v zařízení pro odporové spínání	Odporové RAM paměti jsou slibnými pamětmi pro nahrazení tradiční paměťové technologie a vymezující vrstvy hraje důležitou roli v elektrolytech na bázi chalkogenidů. Avšak stále je nedostatek přesvědčujících experimentálních výsledků s ohledem na mechanismus vymezující vrstvy. V tomto článku byly připraveny dvě sady zařízení s různou pozicí vymezující vrstvy, které dokazují, že vymezující vrstva usnadňuje nukleaci Ag vláken.	odporové spínání; vymezující vrstva; chalkogenidové sklo
eng	The function of buffer layer in resistive switching device	The resistive random access memory is promising to replace the traditional memory technology and the buffer layer plays an important role in chalcogenide based electrolytes. However, there is still lack of convincing experimental result regarding with the mechanism of buffer layer. In this letter, two sets of devices were designed with different position of buffer layer, which proves the buffer layer facilitates the nucleation of Ag filaments.	Resistive switching; buffer layer; chalcogenide glass

Search