University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

Physico-chemical properties of the Ge8Sb2-xBixTe11 bulks and thin films

Authors: Karabyn Vasyl | Himics Dianna | Přikryl Jan | Beneš Ludvík | Svoboda Roman | Frumarová Božena | Wágner Tomáš | Frumar Miloslav

Year: 2017

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Chalcogenide Letters

Page from-to: 489-497

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Fyzikálně-chemické vlastnosti Ge8Sb2-xBixTe11 objemových vzorků a tenkých vrstev	V této práci byly zkoumány struktura, termické, elektrické a optické vlastnosti Ge8Sb2-xBixTe11 (x = 0; 1; 2) tenkých vrstev. Tenké vrstvy byly připraveny mžikovým vakuovým napařováním (FE) a pulsní laserovou depozicí (PLD). Amorfní struktura všech deponovaných vrstev byla prokázána rentgenovou difrakční analýzou. Všechny vzorky po zahřátí krystalizují v kubické NaCl struktuře s prostorovou grupou symetrie Fm3−3m. Krystalizační chování Ge8Sb2-xBixTe11 bylo studováno termickou analýzou. Bylo nalezeno, že substituce antimonu bismutem vede k poklesu teploty krystalizace a aktivační energie krystalizace studovaných vzorků. Plošný elektrický odpor Rs deponovaných vrstev měřený čtyřbodovou metodou podle van der Pauwa ukázal, že rozdíl mezi krystalickým a amorfním stavem je v hodnotě Rs o čtyři řády. Index lomu se zvyšuje se zvyšující koncentrací Bi kvůli vyšší schopnosti polarizace atomů Bi ve srovnání s atomy Sb. Optický kontrast studovaných materiálů byl určen z reflektivity a byl vyšší než 20%.	pamětí založené na fázové změně; chalkogenidy; tenké vrstvy; Ge-Sb-Bi-Te
eng	Physico-chemical properties of the Ge8Sb2-xBixTe11 bulks and thin films	In this work the structure, thermal, electrical and optical properties of Ge8Sb2-xBixTe11 (x = 0; 1; 2) thin films were investigated. Thin films were prepared by Flash Thermal Evaporation (FE) and by Pulsed Laser Deposition (PLD) techniques. The amorphous structure of all as-deposited films were proofed by X-ray diffraction analysis. All samples crystallize in the structure of cubic rock salt with a space group Fm−3m after the heat treatment. The crystallization behavior of Ge8Sb2-xBixTe11 thin films were studied by the thermal analysis. It was found that the substitution of Sb by Bi leads to the decrease of the crystallization temperature and activation energy of the studied samples. The electrical sheet resistance Rs of as-deposited thin films, measured by the four probe method according to van der Pauw showed that the difference in Rs values between the amorphous and crystalline states decreases by around 4 orders of magnitude. The refractive index was increasing with the increase of Bi concentration related with the higher polarizability of Bi in comparison with Sb. The optical contrast for studied materials were determined from reflectivity and it was found to be more than 20 %.	phase-change memory; chalcogenides; thin films; Ge-Sb-Bi-Te