Publication detail

Structural and Optical Properties of Luminescent Copper(I) Chloride Thin Films Deposited by Sequentially Pulsed Chemical Vapour Deposition

Year: 2018

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Coatings

Publisher name: MDPI AG (Multidisciplinary Digital Publishing Institute)

Place: Basel

Page from-to: "369-1"-"369-16"

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Strukturní a optické vlastnosti luminiscentní tenké vrstvy chloridu měďného deponovaného sekvenčně pulsní chemickou depozicí z plynné fáze	Sekvenčně pulsní chemická depozice z plynné fáze byla úspěšně použita pro depozici tenké vrstvy nanokrystalického chloridu měďného za použití systému pro depozici atomárních vrstev (ALD ) s cílem výzkumu její aplikace v oblasti ultrafialové optoelektroniky. Tenké vrstvy byly deponovány při teplotě 125°C s použitím látky [Bis(trimethylsilyl)acetylene](hexafluoroacetylacetonatu)copper(I) coby prekurzoru Cu a pyridin hydrochloridu jako nového prekurzoru Cl. Tenké vytvořené vrstvy byly analyzovány pomocí XRD, rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS), SEM, fotoluminiscence a spektroskopické odrazivosti. Pro zabránění degradace vlivem okolního prostředí byla nanesena tenká vrstva oxidu hlinitého pomocí ALD. Tenké vrstvy byly polykrystalické se sfaleritovou strukturou. Byla nalezena kontaminace především organickým materiálem pocházejícím z prekurzoru. Fotoluminiscence ukázala charakteristické emise volných a vázaných excitonů z CuCl a charakteristických absorpčních excitonových píků. Tyto píky bylo možné také detekovat měřením reflektivity.	depozice z plynné fáze; chlorid měďný; charakterizace; optické vlastnosti; XPS; krystalická struktura
eng	Structural and Optical Properties of Luminescent Copper(I) Chloride Thin Films Deposited by Sequentially Pulsed Chemical Vapour Deposition	Sequentially pulsed chemical vapour deposition was used to successfully deposit thin nanocrystalline films of copper(I) chloride using an atomic layer deposition system in order to investigate their application to UV optoelectronics. The films were deposited at 125 degrees C using [Bis(trimethylsilyl)acetylene](hexafluoroacetylacetonato)copper(I) as a Cu precursor and pyridine hydrochloride as a new Cl precursor. The films were analysed by XRD, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), SEM, photoluminescence, and spectroscopic reflectance. Capping layers of aluminium oxide were deposited in situ by ALD (atomic layer deposition) to avoid environmental degradation. The film adopted a polycrystalline zinc blende-structure. The main contaminants were found to be organic materials from the precursor. Photoluminescence showed the characteristic free and bound exciton emissions from CuCl and the characteristic exciton absorption peaks could also be detected by reflectance measurements.	vapour deposition; copper chloride; characterization; optical properties; XPS; crystal structure

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links