Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Vyšetření vlivu Ta na transportní vlastnosti polykrystalického Bi2Se3
Authors: Kopecká Kateřina | Ruleová Pavlína | Drašar Čestmír
Year: 2018
Type of publication: ostatní - článek ve sborníku
Name of source: Sborník příspěvků : studentská vědecká odborná činnost 2017/2018
Publisher name: Univerzita Pardubice
Place: Pardubice
Page from-to: nestránkováno
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Vyšetření vlivu Ta na transportní vlastnosti polykrystalického Bi2Se3 Selenid bismutitý Bi2Se3 patří do skupiny úzkopásových vrstevnatých polovodičů tetradymitové struktury. Přestože je v současné době věnována pozornost Bi2Se3 zejména s cílem připravit nové typy topologických izolátorů požadovaných vlastností, patří mezi klasické materiály, používané v termoelektrických aplikacích v oblasti teplot blízkých 300 K. Cílem předkládané práce bylo vyšetřit, jak je koncentrace volných nositelů proudu Bi2Se3 ovlivněna zabudováním tantalu do jeho krystalové struktury. Konkrétně byla připravena řada polykrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3 s obsahem dopantu x = 0; 0,005; 0,01; 0,02; 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakční analýzou a měřením teplotních závislostí Hallova koeficientu RH, elektrické vodivosti a Seebeckova koeficientu  v rozmezí teplot 100 – 470 K. Z Hallova koeficientu byla vypočítána koncentrace volných nositelů náboje N, s pomocí elektrické vodivosti byla vypočítána hodnota Hallovy pohyblivosti volných nositelů proudu H a „Výkonový faktor“ PF = . Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu – volných elektronů. Tento efekt byl vysvětlen za předpokladu vstupu příměsových atomů do intersticiálních poloh krystalové struktury Bi2Se3. S ohledem na vrstevnatý charakter krystalové struktury Bi2Se3, byly uvažovány dva případy tvorby intersticiálních poruch – a sice vstup příměsových atomů buď do 5 atomové vrstvy (SeI Bi SeII Bi SeI) nebo do van der Waalsovy mezery mezi těmito vrstvami, tedy mezi atomy SeI.