University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

Alkyksilyl- a alkylstanylselenidy jako ALD prekurzory pro depozice nanovrstev

Authors: Charvot Jaroslav | Bureš Filip | Macák Jan

Year: 2019

Type of publication: ostatní - přednáška nebo poster

Page from-to: nestránkováno

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Alkyksilyl- a alkylstanylselenidy jako ALD prekurzory pro depozice nanovrstev	Technologie ALD (Atomic Layer Deposition) umožňuje nanášet tenké vrstvy s minimálním počtem defektů, a to i na různě tvarované povrchy jako nanočástice či nanotrubice. Alespoň jeden ALD prekurzor – tedy sloučeninu, která obsahuje nanášený atom je znám u téměř všech neradioaktivních prvků periodické tabulky. Pro selen však byly představeny vedle toxického H2Se a Me2Se (resp. Me2Se2) pouze bis(alkylsilyl)selenidy. Tato práce se soustředí na přípravu bis(alkylsilyl)selenidů a analogických bis(alkylstanyl)selenidů jako potenciálních prekurzorů pro ALD technologii. Kritické porovnání přípravy látek je doplněno jejich charakterizací a dále zkoumáním termálních vlastností pomocí TGA a DSC, jakožto důležitého kritéria při výběru prekurzoru. Vybrané produkty pak byly úspěšně využity pro depozice atomárních vrstev.	Alkylsilylselenidy; alkylstanylselenidy; nanovrstvy;ALD prekurzor