Publication detail

Amorphous Ge-Bi-Se Thin Films: A Mass Spectrometric Study

Year: 2019

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Scientific Reports

Publisher name: Nature Publishing Group

Place: London

Page from-to: "19168-1"-"19168-10"

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Amorfní tenké vrstvy Ge-Bi-Se: Studie hmotnostní spektrometrií	Tenké vrstvy Ge-Bi-Se s různým složením (Ge 0-32,1 at. %, Bi 0-45,7 at. %, Se 54,3-67,9 at. %) byly připraveny RF magnetronovým vícekatodovým naprašováním. Současná studie byla provedena pomocí time-of-flight hmotnostní spektrometrie s laserovou ablací za účelem zkoumání klastrů generovaných během interakce laserových pulzů s tenkými vrstvami Ge-Bi-Se. K pochopení přítomnosti jednotlivých částic v plazmatu byla určena stechiometrie klastrů. Laserová ablace tenkých vrstev Ge-Bi-Se spojená s ionizací produkuje kolem 20 kladně a/nebo negativně nabitých unárních, binárních a ternárních (Ge-x(+), Bi-y(+), Se-z(+/-), GexSez+/-, BiySez+/- and GexBiySez-) klastrů. Dále jsme provedli experimenty s laserovou ablací prvkových směsí Ge:Bi:Se a výsledky byly porovnány s time-of-flight hmotnostní spektrometrií s laserovou ablací tenkých vrstev. Pro pochopení geometrie generovaných klastrů jsme navíc vypočetli struktury několika vybraných binárních a ternárních klastrů pomocí DFT. Generované klastry a jejich vypočtené možné geometrie mohou poskytnout důležité strukturní informace a mohou pomoci porozumět dějům přítomným v plazmatických procesech využívaných pro depozice tenkých vrstev.	amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; magnetronové naprašování; hmotnostní spektrometrie
eng	Amorphous Ge-Bi-Se Thin Films: A Mass Spectrometric Study	The Ge-Bi-Se thin films of varied compositions (Ge content 0-32.1 at. %, Bi content 0-45.7 at. %, Se content 54.3-67.9 at. %) have been prepared by rf magnetron (co)-sputtering technique. The present study was undertaken in order to investigate the clusters generated during the interaction of laser pulses with Ge-Bi-Se thin films using laser ablation time-of-flight mass spectrometry. The stoichiometry of the clusters was determined in order to understand the individual species present in the plasma plume. Laser ablation of Ge-Bi-Se thin films accompanied by ionization produces about 20 positively and/or negatively charged unary, binary and ternary (Ge-x(+), Bi-y(+), Se-z(+/-), GexSez+/-, BiySez+/- and GexBiySez-) clusters. Furthermore, we performed the laser ablation experiments of Ge:Bi:Se elemental mixtures and the results were compared with laser ablation time-of-flight mass spectrometry analysis of thin films. Moreover, to understand the geometry of the generated clusters, we calculated structures of some selected binary and ternary clusters using DFT. The generated clusters and their calculated possible geometries can give important structural information, as well as help to understand the processes present in the plasma processes exploited for thin films deposition.	amorphous chalcogenides; thin flms; magnetron sputtering; mass spectrometry

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links