Skip to main content

Login for students

Login for employees

Publication detail

Organické selenidy pro depozice atomárních vrstev
Year: 2020
Type of publication: ostatní - přednáška nebo poster
Page from-to: nestránkováno
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Organické selenidy pro depozice atomárních vrstev Technologie ALD (Atomic Layer Deposition) umožňuje tvorbu libovolně vysokých a uniformních tenkých filmů na různě tvarované povrchy, a to i za mírných podmínek. Tenké vrstvy chalkogenů přechodných kovů (TMD – Transition Metal Dichalcogenides) poskytují slibné vlastnosti ve fotokatalýze, při využitích jako elektrod pro Li baterie či polovodičů. Pro depozice selenidů pomocí ALD se využíval H2Se, jehož hlavní nevýhodou je vysoká toxicita. Jako velice užitečné se později ukázaly bis(trialkylsilyl)selenidy, které poskytují vysokou reaktivitu, těkavost a zároveň termální stabilitu. Tato práce se zabývá rozšířením bis(trialkylsilyl) selenidové řady o jejich analogy bis(trialkylstanyl)selenidy a dále cyklické silylselenidy, jenž si ponechávají požadované vlastnosti jako dostatečná těkavost, či termiální stabilita, avšak poskytují sníženou citlivost vůči vzdušné vlhkosti. Struktura připravených látek byla potvrzena pomocí GC/MS a heteronukleární NMR spektroskopie. DSC a TG analýzy pak poskytly informace o termálních vlastnostech, které jsou klíčové pro využití v ALD. Vybrané deriváty byly nakonec testovány jako ALD prekurzory při tvorbě tenkých filmů MoSe2. ALD; selenidy; těkavost; termální stabilita