University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

A layered Ge2Sb2Te5 phase change material

Authors: Zhang Bo | Čičmancová Veronika | Kupcik Jaroslav | Šlang Stanislav | Rodriguez Pereira Jhonatan | Svoboda Roman | Kutálek Petr | Wágner Tomáš

Year: 2020

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Nanoscale

Page from-to: 3351-3358

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Vrstevnatý materiál s fázovou změnou na bázi Ge2Sb2Te5	V této studii byl připraven univerzální materiál Ge2Sb2Te5 s fázový přechodem a vrstevnatou strukturou pomocí metody naprašování.Krystalická fáze materiálu byla připravena pomocí temperace. SEM (skenovací elektronová mikroskopie) a HRTEM (transmisní elektronová mikroskopie s vysokým rozlišením) scany potvrdily, že naprášené vrstvy Ge2Sb2Te5 v krystalické fázi byly tvořeny mnoha vrstvami. Nalezené vrstvy byly úspěšně exfoliovány v acetonu. Tloušťka krystalických a amorfních v acetonu exfoliovaných vrstev byla cca. 10-60nm.	paměti; krystalizace; dynamika; model
eng	A layered Ge2Sb2Te5 phase change material	In this study, a universal Ge2Sb2Te5 phase change material was sputtered to obtain a layered structure. The crystalline phase of this material was prepared by annealing. SEM (scanning electron microscopy) and HRTEM (high-resolution transmission electron microscopy) images give confirmed that the sputtered Ge2Sb2Te5 thin film in crystalline phase has multiple layers. The layers can be exfoliated by acetone. The thicknesses of acetone-exfoliated crystalline and amorphous flakes are approx. 10–60 nm.	change memory; crystallization; dynamics; model