Publication detail

N,N ',N '-trisubstituted thiourea as a novel sulfur source for the synthesis of Mn-doped ZnS QDs

Year: 2020

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Alloys and Compounds

Publisher name: Elsevier Science SA

Place: Lausanne

Page from-to: "154814-1"-"154814-8"

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	N,N ',N '-trisubstituovaná thiomočovina jako nový zdroj síry pro syntézu Mn-dopovaných kvantových teček ZnS	Dopace polovodičových kvantových teček (QDs) přechodnými kovy (jako jsou Mn, Cu, Ni, atd.) je výborná technika k ovlivnění optických a strukturních vlastností hostitelského materiálu. Introdukcí malého množství nečistot do matrice hostitelského materiálu vede k posunu fotoluminiscenční emise díky změně rekombinačního procesu. Nové emisní cesty vzniklé dopanty ovlivňují intenzitu luminiscence, Stokesův posun, poločas luminiscence a stabilitu připravených částic. Mn-dopované částice ZnS (1-15 mol. %) byly syntetizovány efektivní, nízkonákladovou a netoxickou injektáží horkých prekurzorů. N-fenylmorfolin-4-karbothioamid byl úspěšně použit jako nový zdroj síry pro syntézu Mn-dopovaných částic ZnS. Rentgenová difrakce (XRD), skenovací transmisní elektronová mikroskopie (STEM) a infračervená spektroskopie (IR) byly využity k charakterizaci morfologie a struktury syntetizovaných Mn-dopovaných kvantových teček ZnS. Naše materiály vykazovaly silnou luminiscenci s žluto-oranžovou emisí a fotoluminiscenčním kvantovým výtěžkem (PL QY) 41%. Všechny připravené Mn-dopované kvantové tečky ZnS měly kubickou FCC strukturu a průměrnou velikostí krystalitů 3.8-5.1 nm. Tento přístup navíc dovoluje připravit Mn-dopované částice ZnS s laditelnou velikostí zakázaného pásu mezi 3.5 a 3.6 eV.	Kvantové tečky; Substituované thiomočoviny; Polovodiče
eng	N,N ',N '-trisubstituted thiourea as a novel sulfur source for the synthesis of Mn-doped ZnS QDs	Doping of semiconductor quantum dots (QDs) by transition metals (such as Mn, Cu, Ni, etc.) is a great technique to impact the optical and structural properties of the host materials. The introduction of a small amount of impurity into the host semiconductor matrix leads to the shift of PL emission due to the change in the recombination process. The new emission pathways created by dopant influence the photoluminescence intensity, Stokes shift, lifetime and stability of QDs. Mn-doped ZnS QDs (1-15 mol. %) have been synthesized by the effective low-cost and nontoxic hot-injection method. N-phenylmorpholine-4-carbothioamide has been successfully applied as a novel source of sulfur in the synthesis of Mn-doped ZnS QDs. X-ray diffraction (XRD), scanning transmission electron microscopy (STEM) and infrared (IR) spectroscopy were used for the characterization of morphology and structure of synthesized Mn-doped ZnS QDs. Our materials exhibit strong photoluminescence yellow-orange emission with a photoluminescence quantum yield (PL QY) of 41%. All Mn-doped ZnS QDs have a face-centered cubic structure with a mean crystalline size of 3.8-5.1 nm. Additionally, this synthetic approach enables the synthesis of Mn-doped ZnS QDs with tunable band gaps between similar to 3.5 eV and 3.60 eV.	Quantum dots; Substituted thioureas; Semiconductors

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links