Publication detail

Effects of Grain Boundaries on THz Conductivity in the Crystalline States of Ge(2)Sb(2)Te(5)Phase-Change Materials: Correlation with DC Loss

Year: 2020

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Physica Status Solidi-Rapid Research Letters

Publisher name: Wiley-VCH

Place: Weinheim

Page from-to: nestránkováno

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Účinky hranic zrn na vodivost THz v krystalických stavech Ge (2) Sb (2) Te (5) Materiály pro fázovou změnu: Korelace se ztrátou DC	Zde se měření THz a DC vodivosti závislé na teplotě in situ v krystalických stavech Ge2Sb2Te5 (GST225) provádějí při relativně vysokých teplotách (> 300 K). Jak bylo pozorováno u mnoha nanomateriálů, non-Drude typ vodivosti THz se nachází v krystalickém stavu materiálů s fázovou změnou (PC). Při vodivosti THz a DC lze oddělit jak intra-, tak intergrainové efekty. Je prokázáno, že hranice zrn významně ovlivňují vodivost THz a DC krystalické fáze (zkreslená struktura kamenné soli). Experimentálně pozorovaná mobilita DC Halla se liší od intragrainové mobility extrahované z THz vodivosti, což naznačuje, že řada sekvencí intra- a intergrain transportních mechanismů řídí elektronický transport v krystalickém stavu GST225.	Ztráta DC; efekt hranice zrn; nanokrystalický stav; materiály pro fázovou změnu; Ztráta THz
eng	Effects of Grain Boundaries on THz Conductivity in the Crystalline States of Ge(2)Sb(2)Te(5)Phase-Change Materials: Correlation with DC Loss	Herein, in situ temperature-dependent THz and DC conductivity measurements in the crystalline states of Ge2Sb2Te5(GST225) are performed at relatively high temperatures (>300 K). As observed in many nanomaterials, a non-Drude type of THz conductivity is found in the crystalline state of phase-change (PC) materials. Both the intra- and intergrain effects can be separated in the THz and DC conductivity. It is shown that grain boundaries significantly affect the THz and DC conductivities of the crystalline phase (distorted rock salt structure). The experimentally observed DC Hall mobility is different from the intragrain mobility extracted from the THz conductivity, suggesting that a series sequence of intra- and intergrain transport mechanisms controls the electronic transport in the crystalline state of GST225.	DC loss; grain boundary effect; nanocrystalline state; phase-change materials; THz loss

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links