Publication detail

GaTe-Sb2Te3 thin-films phase change characteristics

Year: 2020

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Optics Letters

Publisher name: Optical Society of America

Place: Washington, DC

Page from-to: 1067-1070

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Charakteristiky fázových změn v tenkých vrstvách GaTe-Sb2Te3	Radiofrekvenční magnetronové vícekatodové naprašování s využitím terčů GaTe a Sb2Te3 bylo použito pro přípravu tenkých vrstev Ga-Sb-Te. Připravené vrstvy pokrývají širokou oblast chemického složení (~10.0-26.3 at. % Ga, ~19.9-34.4 at. % Sb) při dosti konstantním obsahu Te (53.8-55.6 at. % Te). Při krystalizaci indukované temperací byly nalezeny velké změny v elektrickém odporu, zvláště pro vrstvu Ga26.3Sb19.9Te33.8. Fázová změna z amorfního do krystalického stavu dále vede k velkým změnám optických funkcí, jak bylo demonstrováno hodnotami optického kontrastu dosahující až 4.20 pro složení Ga26.3Sb19.9Te53.8.	chalkogenidy; tenké vrstvy; vícekatodové naprašování; telluridy
eng	GaTe-Sb2Te3 thin-films phase change characteristics	A radio frequency magnetron co-sputtering technique exploiting GaTe and Sb2Te3 targets was used for the fabrication of Ga-Sb-Te thin films. Prepared layers cover broad region of chemical composition (~10.0-26.3 at. % of Ga, ~19.9-34.4 at. % of Sb) while keeping Te content fairly constant (53.8-55.6 at. % of Te). Upon crystallization induced by annealing, large variations in electrical resistivity were found, especially for the Ga26.3Sb19.9Te33.8 layer. Phase transition from the amorphous to crystalline state further leads to huge changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to 4.20 for Ga26.3Sb19.9Te53.8 composition.	chalcogenides; thin films; co-sputtering; tellurides

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links