Publication detail

Comparative study of Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S thin films fabricated by sputtering and pulsed laser deposition

Year: 2020

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Scientific Reports

Publisher name: Nature Publishing Group

Place: London

Page from-to: 7997

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Srovnávací studie tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S dotovaných Er3+ připravených naprašováním a pulzní laserovou depozicí	Tato práce informuje o přípravě luminiscentních kvaternárních sulfidových tenkých vrstev použitím radiofrekvenčního naprašování a pulzní laserové depozice a o charakterizaci jejich chemického složení, morfologie, struktury, indexu lomu a fotoluminiscence Er3+. Studie doby života hladiny 4I13/2 iontu Er3+ umožňuje odhad vhodných depozičních parametrů; závislost složení, strukturních a spektroskopických vlastností na depozičních parametrech poskytuje možnost přizpůsobení vlastností tenkých vrstev dotovaných ionty vzácných zemin. Byl určen vliv temperace na spektroskopii a doby života sulfidových vrstev.	amorfní chalkogenidy; tenké vrstvy; fotoluminiscence; erbium
eng	Comparative study of Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S thin films fabricated by sputtering and pulsed laser deposition	This work reports the fabrication of luminescent quaternary sulfide thin films using radio-frequency sputtering and pulsed laser deposition, and the characterization of their chemical composition, morphology, structure, refractive index and Er3+ photoluminescence. The study of Er3+ 4I13/2 level lifetimes enables developing suitable deposition parameters; the dependency of composition, structural and spectroscopic properties on deposition parameters provides a way to tailor the rare earth-doped thin film properties. The effects of annealing on the sulfide films spectroscopy and lifetimes were assessed.	amorphous chalcogenides; thin films; photoluminescence; erbium

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links