Publication detail

Amorphous-to-Crystal Transition in Quasi-Two-Dimensional MoS2: Implications for 2D Electronic Devices

Year: 2021

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: ACS applied nano materials

Publisher name: AMER CHEMICAL SOC

Place: Washington

Page from-to: 8834-8844

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Přechod mezi amorfním a krystalickým stavem v kvazi-dvourozměrném MoS2: Důsledky pro 2D elektronická zařízení	Dvourozměrné (2D) dichalkogenidy přechodných kovů (TMDC) prokázaly velmi silný aplikační potenciál. Pro jeho realizaci je zásadní syntéza stechiometrického 2D TMDC ve velkém měřítku. Zde uvažujeme typického zástupce TMDC, MoS2, a představujeme přístup k výrobě dobře uspořádaných krystalických filmů prostřednictvím krystalizace tenké amorfní vrstvy žíháním při 800 °C, která byla zkoumána z hlediska uspořádání na dlouhou a krátkou vzdálenost. Silný preferenční růst krystalů vrstveného MoS2 podél krystalografické roviny <002> z nanesené 3D amorfní fáze je diskutován spolu s mechanismem krystalizačního procesu odhaleným molekulárně dynamickými simulacemi pomocí simulačního balíčku Vienna ab initio. Domníváme se, že získané výsledky lze zobecnit pro další 2D materiály. Navrhovaný přístup demonstruje jednoduchý a účinný způsob výroby tenkých 2D TMDC pro aplikace v nano- a optoelektronických zařízeních.	tenké vrstvy; RTG absorpční spektroskopie; MoS2; lokální struktura; krystalizace; molekulární dynamika; optické vlastnosti; XPS
eng	Amorphous-to-Crystal Transition in Quasi-Two-Dimensional MoS2: Implications for 2D Electronic Devices	Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDCs) have demonstrated a very strong application potential. In order to realize it, the synthesis of stoichiometric 2D TMDCs on a large scale is crucial. Here, we consider a typical TMDC representative, MoS2, and present an approach for the fabrication of well-ordered crystalline films via the crystallization of a thin amorphous layer by annealing at 800 degrees C, which was investigated in terms of long-range and short-range orders. Strong preferential crystal growth of layered MoS2 along the < 002 > crystallographic plane from the as-deposited 3D amorphous phase is discussed together with the mechanism of the crystallization process disclosed by molecular dynamic simulations using the Vienna Ab initio Simulation Package. We believe that the obtained results may be generalized for materials. The proposed approach demonstrates a simple and efficient way to fabricate thin 2D TMDCs for applications in nano-and optoelectronic devices.	thin films; X-ray absorption spectroscopy; MoS2; local structure; crystallization; molecular dynamics; optical properties; XPS

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links