Login for students

Login for employees

Publication detail

Radio-frequency magnetron co-sputtered Ge-Sb-Te phase change thin films
Year: 2021
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Journal of Non-Crystalline Solids
Publisher name: Elsevier Science BV
Place: Amsterdam
Page from-to: 121003
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Ge-Sb-Te tenké vrstvy s fázovou změnou naprášené vícekatodovým radiofrekvenčním magnetronovým naprašováním Vícekatodové radiofrekvenční magnetronové naprašování za využití terčů GeTe a Sb2Te3 bylo využito pro depozici amorfních tenkých vrstev Ge-Sb-Te. Připravené vrstvy pokrývají širokou oblast chemického složení s malou změnou v obsahu Te (50.8-53.6 at. % Te). Při krystalizaci indukované temperací byly nalezeny velké změny v elektrickém kontrastu až 8 řádů. Fázová změna z amorfního do krystalického stavu vede také k drastickým změnám optických funkční, jak je demonstrováno hodnotami optického kontrastu až |delta n|+|delta k| = 2.96 pro vrstvy GeTe při vlnové délce Blu-ray. Kontrast reflektivity při vlnové délce Blue-ray dosahuje až 43 % s rostoucím obsahem GeTe v tenkých vrstvách Ge-Sb-Te, což potvrzuje důležitost obsahu GeTe v tenkých vrstvách Ge-Sb-Te. Vícekatodové radiofrekvenční magnetronové naprašování; tenké vrstvy; chalkogenidy; fázové změny
eng Radio-frequency magnetron co-sputtered Ge-Sb-Te phase change thin films Radio-frequency magnetron co-sputtering technique with GeTe and Sb2Te3 targets has been used for the deposition of Ge-Sb-Te amorphous thin films. Fabricated layers cover broad region of chemical composition with slight variation in Te content (50.8-53.6 at. % of Te). Upon annealing-induced crystallization, large variations in electrical contrast up to eight orders of magnitude were found. Phase change from amorphous to crystalline state leads also to drastic changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to |delta n|+|delta k| = 2.96 for GeTe layers at Blu-ray wavelength. Reflectivity contrast at Blu-ray wavelength reaches up to -43% with increasing content of GeTe in Ge-Sb-Te thin films, confirming importance of GeTe content in Ge-Sb-Te thin films. Radio-frequency magnetron co-sputtering; Thin films; Chalcogenides; Phase transitions

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives