Login for students

Login for employees

Publication detail

Surface composition and micromasking effect during the etching of amorphous Ge-Sb-Se thin films in SF6 and SF6 /Ar plasmas
Authors: Meyer T | Girard A | Le Dain G. | Rhallabi A | Baudet Emeline | Nazabal Virginie | Němec Petr | Cardinaud C
Year: 2021
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Applied Surface Science
Publisher name: Elsevier Science BV
Place: Amsterdam
Page from-to: 149192
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Složení povrchu a efekt mikromaskování během leptání amorfních tenkých vrstev Ge-Sb-Se v plazmatu SF6 a SF6/Ar S použitím reaktoru s indukčně vázaným plazmatem prostřednictvím chemických procesů na bázi fluoru byly leptány tenké vrstvy Ge-Sb-Se. V SF6 plazmatu, rychlost leptání a povrchová drsnost podtrhují efekt mikromaskování, který je důsledkem vzniku částic SbF3, (Se)-Sb-F-x a (Sb)-Se-F. SF plazma je systematicky asociováno s kvaziizotropický profilem a drsným povrchem. V SF6/Ar plazmatu byl zkoumán vliv tlaku a obsahu argonu. Přídavek argonu přímo ovlivňuje tok atomů fluoru a argonu. Bylo zjištěno, že existuje silná korelace mezi tokem atomů fluoru, obsahem fluoru na povrchu a drsností. Povrch neobsahuje fluorované částice pro velký obsah argonu (95%) and nízké tlaky (<4mTorr). Hladký povrch a kvazivertikální profil byly dosaženy v plazmatu SF6/Ar s poměrem plynů 5/95 při tlaku 1,5 mTorr. Ge-Sb-Se; leptání; tenké vrstvy
eng Surface composition and micromasking effect during the etching of amorphous Ge-Sb-Se thin films in SF6 and SF6 /Ar plasmas Ge-Sb-Se thin films were etched using an Inductively Coupled Plasma reactor via fluorine-based chemistry. In a SF6 plasma, etch rate and roughness highlight a micro masking effect which originates from the formation of SbF3, (Se)-Sb-F-x and (Sb)-Se-F species. Systematically, a SF6 plasma is associated with a quasi-isotropic profile and a rough surface. In a SF6/Ar plasma, the impact of pressure and the argon content has been investigated. The addition of argon affects directly the fluorine atom flux and the argon atom flux. It was found that there is a strong coherence between the fluorine atom flux, the proportion of fluorine at the surface and the roughness. Surface is free of fluorinated products for a high percentage of argon (95%) and low-pressures (<4mTorr). A smooth surface and a quasi-vertical profile were achieved in a SF6/Ar plasma with a gas mixture ratio 5/95 and at a pressure of 1.5 mTorr. Ge-Sb-Se; Etching; thin films

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0