Publication detail

Surface composition and micromasking effect during the etching of amorphous Ge-Sb-Se thin films in SF6 and SF6 /Ar plasmas

Year: 2021

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Applied Surface Science

Publisher name: Elsevier Science BV

Place: Amsterdam

Page from-to: 149192

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Složení povrchu a efekt mikromaskování během leptání amorfních tenkých vrstev Ge-Sb-Se v plazmatu SF6 a SF6/Ar	S použitím reaktoru s indukčně vázaným plazmatem prostřednictvím chemických procesů na bázi fluoru byly leptány tenké vrstvy Ge-Sb-Se. V SF6 plazmatu, rychlost leptání a povrchová drsnost podtrhují efekt mikromaskování, který je důsledkem vzniku částic SbF3, (Se)-Sb-F-x a (Sb)-Se-F. SF plazma je systematicky asociováno s kvaziizotropický profilem a drsným povrchem. V SF6/Ar plazmatu byl zkoumán vliv tlaku a obsahu argonu. Přídavek argonu přímo ovlivňuje tok atomů fluoru a argonu. Bylo zjištěno, že existuje silná korelace mezi tokem atomů fluoru, obsahem fluoru na povrchu a drsností. Povrch neobsahuje fluorované částice pro velký obsah argonu (95%) and nízké tlaky (<4mTorr). Hladký povrch a kvazivertikální profil byly dosaženy v plazmatu SF6/Ar s poměrem plynů 5/95 při tlaku 1,5 mTorr.	Ge-Sb-Se; leptání; tenké vrstvy
eng	Surface composition and micromasking effect during the etching of amorphous Ge-Sb-Se thin films in SF6 and SF6 /Ar plasmas	Ge-Sb-Se thin films were etched using an Inductively Coupled Plasma reactor via fluorine-based chemistry. In a SF6 plasma, etch rate and roughness highlight a micro masking effect which originates from the formation of SbF3, (Se)-Sb-F-x and (Sb)-Se-F species. Systematically, a SF6 plasma is associated with a quasi-isotropic profile and a rough surface. In a SF6/Ar plasma, the impact of pressure and the argon content has been investigated. The addition of argon affects directly the fluorine atom flux and the argon atom flux. It was found that there is a strong coherence between the fluorine atom flux, the proportion of fluorine at the surface and the roughness. Surface is free of fluorinated products for a high percentage of argon (95%) and low-pressures (<4mTorr). A smooth surface and a quasi-vertical profile were achieved in a SF6/Ar plasma with a gas mixture ratio 5/95 and at a pressure of 1.5 mTorr.	Ge-Sb-Se; Etching; thin films

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links