Login for students

Login for employees

Publication detail

Topological Insulator Bi2Te3: The Effect of Doping with Elements from the VIII B Column of the Periodic Table
Authors: Cichoň Stanislav | Drchal Václav | Horáková Kateřina | Cháb Vladimír | Kratochvílová Irena | Máca František | Čermák Patrik | Čermák Šraitrová Kateřina | Navrátil Jiří | Lančok Ján
Year: 2022
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Journal of Physical Chemistry C
Page from-to: 14529–14536
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Topologický izolátor Bi2Te3: Vliv dopování prvky z VIII B skupiny periodické tabulky Studovali jsme dopování monokrystalu Bi2Te3 pomocí úhlově-rozlišitelné fotoemise a ab initio výpočtů elektronické struktury. Zjistili jsme, že na povrchu je typická objemová vodivost p-typu transformována na n-typ. Dopanty z VIII B skupiny (Fe, Ru a Os) způsobují posun Diracova kužele na povrchu ve směru od maxima valenčního pásu k minimu vodivostního pásu. Přeskupení povrchové elektronické struktury Bi2Te3 způsobené dopováním je spojeno s přichycením Fermiho hladiny v zakazáném pásu a její srovnání s experimentálními daty ukazuje, že dopanty substituují atomy Bi spíše než by zaujímaly intersticiální pozice. topologický izolátor; Bi2Te3; dopování; elektronické vlastnosti; transportní vlastnosti
eng Topological Insulator Bi2Te3: The Effect of Doping with Elements from the VIII B Column of the Periodic Table We studied the doping of a Bi2Te3 single crystal using angle-resolved photoemission and ab initio electronic structure calculations. We find that at the surface, the typical bulk p-type conductivity is transformed to the n-type. The dopants from the VIII B column (Fe, Ru, and Os) give rise to the shift of the Dirac cone at the surface in the direction from the valence band maximum to the conductivity band minimum. The rearrangement of the Bi2Te3 surface electronic structure caused by doping is linked to the pinning of the Fermi level in the bulk gap, and its comparison with experimental data indicates that the dopants substitute Bi atoms rather than they occupy interstitial positions. topological Insulator; Bi2Te3; doping; electronic properties; transport properties

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0