Login for students

Login for employees

Publication detail

Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x
Authors: Krbal Miloš | Prokop Vít | Přikryl Jan | Rodriguez Pereira Jhonatan | Pis Igor | V. Kolobov Alexander | Fons Paul J | Saito Yuta | Hatayama Shogo | Sutou Yuji
Year: 2022
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Crystal Growth and Design
Publisher name: American Chemical Society
Place: Washington
Page from-to: 3072-3079
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Vylepšené uspořádání kvazi-dvourozměrného MoS2 přechodem z amorfního na krystalický stav počínající z amorfního MoS2+ bohatého na síru Syntéza stechiometrických dvourozměrných (2D) dichalkogenidů přechodných kovů (TMDC) na velké plochy je stále výzvou. Pomocí kombinace rentgenové difrakce a rentgenové absorpční spektroskopie demonstrujeme výhody použití tenké amorfní vrstvy MoS2 bohatého na S (MoS4 v tomto článku) pro růst dobře uspořádaných krystalických filmů MoS2 prostřednictvím žíhání při 900 °C. Na rozdíl od krystalizace stechiometrického amorfního MoS2, krystalizace amorfní MoS4 fáze vykazuje silně preferované uspořádání vrstveného MoS2 na Si/SiOx netemplátovém substrátu s dominantní (002) krystalografickou rovinou a doprovodnými Kiessigovými oscilacemi, které indikují vylepšené uspořádání vrstev MoS2. Podobného efektu lze dosáhnout pouze templátovou krystalizací amorfního tenkého filmu MoS2 naneseného na safírovém substrátu s orientací v rovině c. Domníváme se, že zlepšení růstu krystalů je způsobeno nižším koordinačním číslem (CN) atomů Mo v amorfní fázi MoS4 (CN = 4) ve srovnání s amorfním MoS2 (CN = 6) a postupným uvolňováním volných atomů síry z tenkého filmu během krystalizace. tenké vrstvy; RTG absorpční spektroskopie; MoS2; lokální struktura; krystalizace
eng Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x The synthesis of stoichiometric two-dimensional (2D) transition-metal dichalcogenides (TMDC) over large areas remains challenging. Using a combination of X-ray diffraction and X-ray absorption spectroscopy, we demonstrate the advantages of using a thin amorphous layer of S-rich MoS2 (MoS4 in this paper) for the growth of well-ordered crystalline MoS2 films via annealing at 900 degrees C. In contrast to the crystallization of stoichiometric amorphous MoS2, the crystallization of the as-depo sited amorphous MoS4 phase shows the strong preferred ordering of layered MoS2 on a Si/SiOx nontemplating substrate with the dominant (002) crystallographic plane and accompanying Kiessig fringes, which indicate the improved crystallinity of the MoS2 layers. A similar effect can only be achieved by the templated crystallization of an amorphous MoS2 thin film deposited on a c-plane sapphire substrate. We suggest that the crystal growth improvement originates from the lower coordination number (CN) of the Mo atoms in the MoS4 amorphous phase (CN = 4) in comparison with that of amorphous MoS2 (CN = 6) and the gradual release of free sulfur atoms from the thin film during crystallization. ray-absorption spectroscopy; solar-cells; molybdenum; growth; nanosheets; disulfide; reduction; ultrathin; layers; sites

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0