University of PardubiceFaculty of Chemical Technology

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

Photo - induced solid - state reaction on the interface of As2S3-Ge30Se70 thin films.

Authors: Kutálek Petr | Knotek Petr | Janíček Petr | Todorov R. | Černošková Eva | Smolík Jan | Atanasova A. | Tichý Ladislav

Year: 2022

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Optical Materials

Page from-to: 111897

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Fotoindukovaná reakce v pevné fázi na rozhraní As2S3-Ge30Se70 tenkých filmů.	Byla studována reakce v pevné fázi indukovaná laserem ve dvouvrstvě As2S3 a Ge30Se70 tenkých filmech napařených na sebe na substrátu. Rozsah reakce v pevné fázi na rozhraní dvou filmů byl studován na základě posunu krátkovlnné absorpční hrany, která byla výrazně vyšší u osvětlené/temperové dvojvrstvy ve srovnání se součtem posunů jednotlivých panenských filmů. Přítomnost nově vytvořené mezivrstvy byla potvrzena pomocí FTIR, AFM a elipsometrie.	chalcogenidy; tenké filmy; fotoindukované změny
eng	Photo - induced solid - state reaction on the interface of As2S3-Ge30Se70 thin films.	The laser-induced solid-state reaction in double-layer As2S3 and Ge30Se70 thin films evaporated on each other on substrates was studied. The extent of the solid-state reaction on the interface of two films was evaluated as a shift of the short-wavelength absorption edge, which was significantly higher for the illuminated/annealed double-layer in comparison with the sum of shifts of the individual virgin films. The presence of a newly created intermix layer was proved by FTIR, AFM and ellipsometry.	chalcogenides; thin film; photo - inducet changes