Publication detail

Atomic layer deposition and characterization of Bi1Se1 thin films

Year: 2023

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of the European Ceramic Society

Publisher name: Elsevier Science

Place: Oxford

Page from-to: 4808-4813

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Depozice atomárních vrstev a charakterizace tenkých filmů Bi1Se1	Van der Waalsovy heterostrukturní materiály přitahovaly značný zájem díky svým zajímavým fyzikálním vlastnostem. Popisujeme ukládání BiSe metodou depozice atomárních vrstev (ALD) s použitím Bi(NMe2)3 a Se(SnMe3)2 jako těkavých a reaktivních prekurzorů Bi a Se. Rychlost růstu se pohybuje od 1,5 do 2,0 Å/cyklus v rozmezí teplot depozice 90–120 °C. Vyšší teploty nanášení vedou ke zvýšení velikosti zrn a zvýšené krystalinitě výsledných filmů. Elektrická vodivost BiSe se pohybovala od 1420 do 1520 S/cm v důsledku ultravysoké koncentrace nosiče (2–3,5 × 1021 cm−3), která je nejvyšší mezi nedopovanými materiály na bázi selenidu bizmutu.	Depozice atomárních vrstev; Van der Waalsovy heterostrukturované materiály; BiSe, Carrierova koncentrace
eng	Atomic layer deposition and characterization of Bi1Se1 thin films	Van der Waals (vdWs) heterostructured materials have attracted considerable interest due to their intriguing physical properties. Here, we report on the deposition of BiSe by atomic layer deposition (ALD) using Bi(NMe2)3 and Se(SnMe3)2 as volatile and reactive Bi and Se precursors, respectively. The growth rate varies from 1.5 to 2.0 angstrom/cycle in the deposition temperature range of 90-120 degrees C. Higher deposition temperatures lead to increased grain sizes and enhanced crystallinity of resulting films. Further microstructure characterization reveals the formation of crystalline domains with varying orientations and nanotwinned boundaries. The presence of Bi-Bi zigzag bilayers and the formation of the BiSe phase were confirmed by the existence of the Bi-Bi binding energy peak in the XPS spectra and Raman spectra. Furthermore, the electrical conductivity of BiSe ranged from 1420 to 1520 S/cm due to the ultrahigh carrier concentration (2-3.5 x 1021 cm-3), which is the highest among undoped bismuth selenide-based materials.	Atomic layer deposition; Van der Waals heterostructured materials; BiSe; Carrier concentration

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links