Login for students

Login for employees

Publication detail

Interfacial Distortion of Sb2Te3-Sb2Se3 Multilayers via Atomic Layer Deposition for Enhanced Thermoelectric Properties
Authors: Yang Jun | Daqiqshirazi Mohammadreza | Ritschel Tobias | Bahrami Amin | Lehmann Sebastian | Wolf Daniel | Feng Wen | Pöhl Almut | Charvot Jaroslav | Bureš Filip | Brumme Thomas | Lubk Axel | Geck Jochen | Nielsch Kornelius
Year: 2024
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: ACS Nano
Publisher name: American Chemical Society
Place: Washington
Page from-to: 17500-17508
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Mezivrstevné interakce Sb3Te3-Sb2Se3 připraveného technikou depozice atomárních vrstev pro jeho termoelektrické vlastnosti Depozice atomárních vrstev (ALD) je efektivní technika nanášení tenkých filmů s přesnou regulací tloušťky vrstvy a funkčních vlastností. Metodou termální ALD byly syntetizovány nanostruktury Sb2Te3-Sb2Se3. Zmenšení tloušťky vrstvy Sb2Te3 vedlo ke vzniku píků z Laueových kruhů, to svědčí o vysoce texturované filmové struktuře s optimalizovanou krystalinitou. Optimalizací tloušťky vrstev jsme dosáhli zjevného zlepšení Seebeckova koeficientu a dosáhli jsme maximální hodnoty (zT) 0,38 při laboratorní teplotě. depozice atomárních vrstev; Sb2Te3-Sb2Se3; 2D materiály; transportní vlastnosti
eng Interfacial Distortion of Sb2Te3-Sb2Se3 Multilayers via Atomic Layer Deposition for Enhanced Thermoelectric Properties Atomic layer deposition (ALD) is an effective technique for depositing thin films with precise control of layer thickness and functional properties. In this work, Sb2Te3-Sb2Se3 nanostructures were synthesized using thermal ALD. A decrease in the Sb2Te3 layer thickness led to the emergence of distinct peaks from the Laue rings, indicative of a highly textured film structure with optimized crystallinity. Density functional theory simulations revealed that carrier redistribution occurs at the interface to establish charge equilibrium. By carefully optimizing the layer thicknesses, we achieved an obvious enhancement in the Seebeck coefficient, reaching a peak figure of merit (zT) value of 0.38 at room temperature. These investigations not only provide strong evidence for the potential of ALD manipulation to improve the electrical performance of metal chalcogenides but also offer valuable insights into achieving high performance in two-dimensional materials. atomic layer deposition; Sb2Te3-Sb2Se3; 2D materials; interface engineering; transport property

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0