Login for students

Login for employees

Publication detail

Direct visualization and 3D reconstruction of conductive filaments in aSiO2 material-based memristive device
Year: 2024
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Physical Chemistry Chemical Physics
Publisher name: Royal Society of Chemistry
Place: Cambridge
Page from-to: 10069-10077
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Přímá vizualizace a 3D rekonstrukce vodivých vláken v memristivním zařízení na bázi SiO2 Pozorování vodivých vláken výrazně napomohlo vývoji teoretických modelů memristivních zařízení. V této práci jsme zviditelnili a rekonstruovali vodivá vlákna v zařízení SiO2/W dopovaném Cu/Cu pomocí fokusovaného iontového svazku (FIB) jako techniky odprašování. Snímky SEM pořízené ze zařízení po 150 cyklech stejnosměrného proudu ukázaly, že Jouleovo teplo hraje zásadní roli při určování morfologie vodivého vlákna, kdy odpařování vodivého vlákna vede ke vzniku defektů, včetně částic, dutin a kavit. Konkurence mezi tvorbou a odpařováním vodivých vláken obecně vyvolává pozoruhodné kolísání proudu. Protože jako elektrolyt byl použit SiO2 dopovaný Cu, odpařováním docházelo k exfoliaci přilehlých jednotlivých vrstev. FIB frézování probíhalo v režimech shora dolů a zepředu dozadu; podle série snímků FIB-SEM byl tedy sestrojen 3D model vodivých vláken a defektů. Tato metodika je slibná pro budoucí analýzu poruch memristivních zařízení. výkonnost
eng Direct visualization and 3D reconstruction of conductive filaments in aSiO2 material-based memristive device Observation of conductive filaments has greatly aided the development of theoretical models of memristive devices. In this work, we visualized and reconstructed the conductive filaments in a Cu/Cu-doped SiO2/W device employing a focused ion beam (FIB) as a milling technique. The SEM images taken from the device after 150 DC sweep cycles showed that Joule heat played a vital role in determining the morphology of a conductive filament, where the vaporization of the conductive filament resulted in the creation of defects, including particles, voids, and cavities. The competition between the formation and vaporization of conductive filaments generally induces a remarkable current fluctuation. Since Cu-doped SiO2 was utilized as the electrolyte, the vapors exfoliated adjacent single layers. FIB milling proceeded in top-down and front-back modes; thus, a 3D model of conductive filaments and defects was constructed according to a series of FIB-SEM images. This methodology is promising for a future failure analysis of memristive devices. performance

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0Creative CommonsAttributionNonCommercialNoDerivatives