Login for students

Login for employees

Publication detail

Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo
Authors: Cichon Stanislav | Maca Frantisek | Drchal Vaclav | Horakova Katerina | Kratochvilova Irena | Lancok Jan | Chab Vladimir | Čermák Patrik | Navrátil Jiří | Drašar Čestmír
Year: 2024
Type of publication: článek v odborném periodiku
Name of source: Journal of Physics and Chemistry of Solids
Publisher name: Elsevier Science Inc.
Place: New York
Page from-to: 111794
Titles:
Language Name Abstract Keywords
cze Dopování monokrystalů n-typového Bi2Se3 prvky Fe, Ru, Os a Mo Dopování je jednou z nejvhodnějších metod pro úpravu elektrických vlastností topologických izolátorů a představuje slibný přístup k otevření zakázaného pásu u povrchových stavů. V této studii byla vyvinuta spolehlivá metoda pro přípravu vysoce kvalitních monokrystalických substrátů, které se skládají z Bi2Se3 dopovaného prvky z VIIIB a VIB skupiny. Byly zkombinovány experimentální metody fotoelektronové spektroskopie (rentgenová fotoelektronová spektroskopie, úhlově rozlišená fotoelektronová spektroskopie a ultrafialová fotoelektronová spektroskopie) a teoretické (ab initio) metody, které byly použity k analýze elektrických vlastností a chemických stavů atomů v substitučních polohách a nativních defektů v topologickém izolátoru, kterých může být dosaženo za užití FMC metody růstu krystalů. Byl prozkoumán a diskutován vztah mezi polohou Diracova kuželu a maxima valenčního pásu. topologický izolátor; fotoelektronová spektroskopie; dopování
eng Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo Doping is one of the most suitable methods for tuning the electronic properties of topological insulators and a promising approach for band gap opening in surface states. In this study, we developed a reliable method for preparing high-quality single crystal substrates comprising Bi2Se3 doped with VIIIB and VIB column elements. We combined experimental photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, angle resolved photoelectron emission spectroscopy, and ultraviolet photoelectron spectroscopy) and theoretical (ab initio) methods to analyze the electronic properties and chemical states of atoms in the substitutional position and native defects in the topological insulator, which can be achieved using the free melt crystallization method for sample growth. The relationship between the position of the Dirac cone and valence band maximum was explored and discussed. Topological insulator; Photoelectron spectroscopy; Band structure; Ab initio; Doping

Departments

Other Parts

Map

en.mapy.cz

Services

Popular Links

© 2023 University of Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Phone: +420 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Webmaster, RSS
Data box ID: f5vj9hu
Accessibility Statement
CC BY-NC-ND 4.0