Publication detail

Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo

Year: 2024

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Physics and Chemistry of Solids

Publisher name: Elsevier Science Inc.

Place: New York

Page from-to: 111794

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Dopování monokrystalů n-typového Bi2Se3 prvky Fe, Ru, Os a Mo	Dopování je jednou z nejvhodnějších metod pro úpravu elektrických vlastností topologických izolátorů a představuje slibný přístup k otevření zakázaného pásu u povrchových stavů. V této studii byla vyvinuta spolehlivá metoda pro přípravu vysoce kvalitních monokrystalických substrátů, které se skládají z Bi2Se3 dopovaného prvky z VIIIB a VIB skupiny. Byly zkombinovány experimentální metody fotoelektronové spektroskopie (rentgenová fotoelektronová spektroskopie, úhlově rozlišená fotoelektronová spektroskopie a ultrafialová fotoelektronová spektroskopie) a teoretické (ab initio) metody, které byly použity k analýze elektrických vlastností a chemických stavů atomů v substitučních polohách a nativních defektů v topologickém izolátoru, kterých může být dosaženo za užití FMC metody růstu krystalů. Byl prozkoumán a diskutován vztah mezi polohou Diracova kuželu a maxima valenčního pásu.	topologický izolátor; fotoelektronová spektroskopie; dopování
eng	Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo	Doping is one of the most suitable methods for tuning the electronic properties of topological insulators and a promising approach for band gap opening in surface states. In this study, we developed a reliable method for preparing high-quality single crystal substrates comprising Bi2Se3 doped with VIIIB and VIB column elements. We combined experimental photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, angle resolved photoelectron emission spectroscopy, and ultraviolet photoelectron spectroscopy) and theoretical (ab initio) methods to analyze the electronic properties and chemical states of atoms in the substitutional position and native defects in the topological insulator, which can be achieved using the free melt crystallization method for sample growth. The relationship between the position of the Dirac cone and valence band maximum was explored and discussed.	Topological insulator; Photoelectron spectroscopy; Band structure; Ab initio; Doping

Search

Login for students

Login for employees

Publication detail

Departments

Other Parts

Map

Services

Popular Links